本文關(guān)鍵詞：毫米波化合物半導(dǎo)體材料研究進(jìn)展

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【摘要】：毫米波集成電路成為毫米波系統(tǒng)應(yīng)用中必不可少的核心技術(shù),化合物半導(dǎo)體材料砷化鎵、磷化銦無疑在毫米波集成電路制造中占據(jù)重要地位,繼砷化鎵、磷化銦占據(jù)毫米波芯片襯底材料主流之后,以氮化鎵材料為代表的第三代半導(dǎo)體材料逐漸成為目前國(guó)際毫米波芯片制造的材料研究熱點(diǎn)。本文對(duì)以砷化鎵、磷化銦、氮化鎵為代表的毫米波化合物半導(dǎo)體材料技術(shù)及其發(fā)展,進(jìn)行了總結(jié)與展望。
【作者單位】： 常州工學(xué)院;南京理工大學(xué);
【關(guān)鍵詞】： 毫米波集成電路 化合物半導(dǎo)體 綜述 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵
【基金】：江蘇省科技項(xiàng)目資助(No.BRA2015076)
【分類號(hào)】：TN304.2
【正文快照】： 30~300 GHz的毫米波技術(shù)在無線通信、汽車電子、雷達(dá)遙感、射電天文、航空安檢等領(lǐng)域愈來愈不可或缺[1-3]。2011年起,美國(guó)運(yùn)輸安全管理局(TSA)授權(quán)國(guó)內(nèi)各大機(jī)場(chǎng)使用唯一“先進(jìn)成像安檢技術(shù)”——美國(guó)L-3公司提供的“Provision”毫米波安檢系統(tǒng)。2015年Google向外界展示了“基

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1 俞嬌仙;化合物半導(dǎo)體的微結(jié)構(gòu)調(diào)控及其光催化、氣敏性能的研究[D];山東大學(xué);2011年

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本文編號(hào)：871677