本文關(guān)鍵詞：脈沖激光對(duì)單晶硅打孔的研究

  更多相關(guān)文章： 激光器 脈沖個(gè)數(shù) 燒蝕深度 孔徑大小 等離子體

【摘要】：采用波長(zhǎng)為1 064 nm的重復(fù)脈沖激光對(duì)單晶硅進(jìn)行打孔實(shí)驗(yàn),觀測(cè)了小孔燒蝕深度以及表面孔徑大小隨脈沖個(gè)數(shù)的變化規(guī)律,并對(duì)激光輻照單晶硅的熱力學(xué)過程進(jìn)行了理論分析。研究結(jié)果表明:入射激光在穿過等離子體到達(dá)單晶硅的表面時(shí),光斑尺寸會(huì)有所增大,小孔孔徑會(huì)大于聚焦光束尺寸。小孔內(nèi)的等離子體本身具有很高的溫度,高溫等離子體在膨脹過程中會(huì)通過熱輻射和熱傳導(dǎo)等過程向小孔周圍傳遞熱量,這也會(huì)對(duì)小孔孔徑起到一定的拓展作用。當(dāng)脈沖個(gè)數(shù)低于6個(gè)時(shí),孔深隨入射脈沖個(gè)數(shù)的增加近似線性增長(zhǎng),而后開始緩慢增長(zhǎng)直至保持不變,這主要是由激光等離子體屏蔽效應(yīng)決定的。
【作者單位】： 四川大學(xué)電子信息學(xué)院激光微納工程研究所;
【關(guān)鍵詞】： 激光器 脈沖個(gè)數(shù) 燒蝕深度 孔徑大小 等離子體
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(60890203)
【分類號(hào)】：TN249;TN304.12
【正文快照】： 0引言激光打孔技術(shù)在現(xiàn)代工業(yè)加工中占據(jù)重要地位,與傳統(tǒng)機(jī)械鉆孔相比較,具有加工精度高,加工質(zhì)量好的優(yōu)良特點(diǎn)。激光打孔可以避免傳統(tǒng)機(jī)械打孔無法避免的一些缺陷,因而激光打孔在工業(yè)加工中顯得尤為重要。激光打孔以激光為熱源,使激光作用區(qū)域的材料發(fā)生融化、氣化,從而達(dá)到

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本文編號(hào)：858066