本文關(guān)鍵詞：基于陽極氧化鋁基板的圓片級板載芯片封裝技術(shù)（英文）

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【摘要】：提出了一種新型基于陽極氧化鋁基板的板載芯片(Chip on Board)封裝技術(shù)。在5 wt.%,30℃的草酸電解液中采用60 V直流電壓,制備了0.1 mm厚度的陽極氧化鋁基板圓片,鋁導(dǎo)線最小線寬、電阻及導(dǎo)線間絕緣電阻分別為35μm、小于1Ω/cm與大于1×1010Ω。在超薄陽極氧化鋁基板圓片進(jìn)行了雙層Flash裸芯片堆疊及金絲引線鍵合,實現(xiàn)了圓片級COB封裝,成品率高于93%。最后,將COB單元進(jìn)行三維堆疊封裝,制備了32 Gb Flash模組。因此基于陽極氧化鋁基板的板載芯片封裝技術(shù)具有較大的應(yīng)用前景。
【作者單位】： 上海航天電子通訊設(shè)備研究所;
【關(guān)鍵詞】： 三維封裝 板載芯片 陽極氧化鋁 封裝基板
【基金】：國家科技重大專項項目(2014ZX02501016)
【分類號】：TN405
【正文快照】： With development of miniature and multi-func-tional device,the electronic systems sets higher re-quirement of packaging density.Therefore,system-in-package(Si P)technology is attracting more attention,because of the higher packaging density and flexibili

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本文編號：856454