多晶硅沉積厚度對(duì)氧沉淀和潔凈區(qū)形成的影響
發(fā)布時(shí)間：2017-09-15 11:38
本文關(guān)鍵詞：多晶硅沉積厚度對(duì)氧沉淀和潔凈區(qū)形成的影響
更多相關(guān)文章： 重?fù)焦杵?/b> 多晶硅吸雜 擇優(yōu)腐蝕 氧沉淀
【摘要】：硅片背面沉積多晶硅是半導(dǎo)體生產(chǎn)中常用的吸雜手段,多晶硅中存在著大量的晶界,可以吸除金屬雜質(zhì),它還可以影響硅片內(nèi)氧沉淀的分布,增強(qiáng)內(nèi)吸雜的作用。通過控制低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)系統(tǒng)的沉積時(shí)間,在硅片背面沉積不同厚度的多晶硅薄膜,借助擇優(yōu)腐蝕和金相顯微(OM)觀察等手段研究了沉積厚度對(duì)重?fù)脚鸸杵瑑?nèi)氧沉淀形成與分布的影響。結(jié)果表明:沉積的多晶硅薄膜越厚,硅片的形變量越大,小尺寸的氧沉淀數(shù)量增多并在表面附近聚集,大尺寸的氧沉淀則傾向于在體內(nèi)和背面形成,潔凈區(qū)的厚度則減小直至無潔凈區(qū)建立。多晶硅薄膜通過對(duì)硅片施加應(yīng)力引起硅片形變,從而影響氧沉淀硅片體內(nèi)形成的位置,起到促進(jìn)內(nèi)吸雜的作用。最佳多晶硅沉積厚度為800 nm。
【作者單位】： 北京有色金屬研究總院有研半導(dǎo)體材料有限公司;
【關(guān)鍵詞】： 重?fù)焦杵?/strong> 多晶硅吸雜 擇優(yōu)腐蝕 氧沉淀
【基金】：國家重大科技專項(xiàng)項(xiàng)目(2010ZX02302-001)資助
【分類號(hào)】：TN304.12
【正文快照】： 重?fù)街崩杵枪β拾雽?dǎo)體器件的主要襯底材料,是解決電路中α粒子引起的軟失效和閂鎖效應(yīng)的最有效辦法之一[1-2]。電子器件制作過程中,有源區(qū)的金屬雜質(zhì)會(huì)影響器件電學(xué)性能和器件成品率,為了防止襯底硅片中的金屬雜質(zhì)沾污器件有源區(qū),需要對(duì)襯底硅片進(jìn)行吸雜處理[3]。多晶硅吸
【相似文獻(xiàn)】
中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前4條
1 尹華瓊,李全臻;GaAs襯底在H_2SO_4-H_2O_2-H_2O系中的擇優(yōu)腐蝕[J];半導(dǎo)體光電;1983年03期
2 高偉;莊婉如;譚叔明;;GaAs、GaAlAs晶片的化學(xué)擇優(yōu)腐蝕[J];半導(dǎo)體光電;1989年04期
3 鄒子英,閔靖;硅片表面機(jī)械損傷層厚度的測(cè)試方法研究[J];上海計(jì)量測(cè)試;2000年06期
4 ;[J];;年期
，本文編號(hào)：856304
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