本文關鍵詞：ICPECVD制備氮化硅薄膜工藝的研究

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【摘要】：利用電感耦合等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)SENTECH SI 500 D以Si H_4和NH_3研究了在不同工藝條件下的氮化硅薄膜生長實驗。而后利用臺階儀和橢圓偏振儀表征了薄膜的厚度、生長速率、均勻性和折射率等參數(shù);并用原子力顯微鏡(AFM)和掃描電子顯微鏡(SEM)研究了薄膜表面形貌。實驗結果表明:沉積溫度和ICP功率是影響薄膜生長速率的主要因素,生長速率可以達到20 nm/min;NH_3流量是影響薄膜折射率的主要因素,其變化在1.85~2.35之間;沉積溫度是影響薄膜表面形貌的關鍵因素。
【作者單位】： 中北大學儀器科學與動態(tài)測試教育部重點實驗室電子測試技術國防科技重點實驗室;
【關鍵詞】： 氮化硅薄膜 ICPECVD 生長速率 折射率 表面形貌
【分類號】：TN304.055
【正文快照】： 0引言由于有著高絕緣性、致密性、漏電低、抗氧化、優(yōu)良的機械性能、良好的穩(wěn)定性、高介電常數(shù)和對雜質離子的掩蔽能力等物理性能,使得氮化硅在許多方面得到了很好的應用[1-2]。例如,在半導體器件和集成電路中,其可以作為鈍化層、柵絕緣層、隔離層、支撐結構以及電容介質等[3-

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本文編號：834000