本文關鍵詞：硅時代的半導體革新

  更多相關文章： 氮化鎵 替代過程 硅器件 禁帶 半導體工業(yè) 社會關注度 寬禁帶半導體 器件技術(shù) 代際差別 金屬導體

【摘要】：然而這類主要是工業(yè)應用市場現(xiàn)有的硅器件的替代過程,在專業(yè)領域之外,得到的社會關注度不高。只能說是一場靜悄悄的技術(shù)革新。一個可能的例外,是高頻氮化鎵器件,可望在未來催生一個廣受關注的醫(yī)用植入裝置的無線充電市場。
【關鍵詞】： 氮化鎵;替代過程;硅器件;禁帶;半導體工業(yè);社會關注度;寬禁帶半導體;器件技術(shù);代際差別;金屬導體;
【分類號】：TN304
【正文快照】： 、亡年來,以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)近$者說“寬禁帶半導體”材料器件,吸引了很多政府和產(chǎn)業(yè)界的關注,在后摩爾定律時期投資界眼中曰趨冷寂的半導體工業(yè)中,成為為數(shù)不多的熱門領域之一。半導體的代際差別進步的依據(jù)和意義是什么?為什么要用到寬禁帶材料?作者在這里從一個特

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本文編號：832915