本文關(guān)鍵詞：用于可見(jiàn)光通信的GaN基LED研究進(jìn)展

  更多相關(guān)文章： 發(fā)光二極管 頻率響應(yīng) 效率下降 可見(jiàn)光通信

【摘要】：發(fā)光二極管(LED)的頻率響應(yīng)特性以及在大電流下的發(fā)光特性是其在可見(jiàn)光通信中應(yīng)用的關(guān)鍵性能指標(biāo)。對(duì)于GaN基的LED,減小InGaN/GaN多量子阱中的內(nèi)建電場(chǎng),增大空穴的注入,能有效提高大電流下的內(nèi)量子效率,減弱在大電流情況下出現(xiàn)的效率下降。通過(guò)降低與結(jié)電容效應(yīng)相關(guān)的RC時(shí)間常數(shù)以及載流子自發(fā)輻射復(fù)合壽命,可改善LED的頻率響應(yīng)特性,進(jìn)一步提高LED的調(diào)制帶寬。
【作者單位】： 華南理工大學(xué)電子與信息學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 發(fā)光二極管 頻率響應(yīng) 效率下降 可見(jiàn)光通信
【基金】：廣東省重大科技專(zhuān)項(xiàng)(2014B010119002)
【分類(lèi)號(hào)】：TN312.8;TN929.1
【正文快照】： 發(fā)光二極管(Light-Emitting Diode,LED)經(jīng)過(guò)一個(gè)多世紀(jì)的研究,從Si C與金屬接觸而制備的第一個(gè)LED,到以Ga As P材料為代表紅光LED,再到用Al Ga In P獲得的紅、橙、黃光LED和現(xiàn)在作為熱點(diǎn)研究的In Ga N/Ga N多量子阱藍(lán)、紫光LED,其發(fā)光效率不斷提升,發(fā)光光譜逐漸覆蓋整個(gè)可見(jiàn)光

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本文編號(hào)：828958