本文關(guān)鍵詞：SiC單晶片C面固結(jié)磨料化學(xué)機械拋光的研究

  更多相關(guān)文章： 固結(jié)磨料 SiC晶體 化學(xué)機械拋光 材料去除率

【摘要】：本文研究了三種不同種類的磨料對SiC單晶片去除率的影響。最終選用金剛石磨料作為SiC單晶片的化學(xué)機械拋光磨料。結(jié)果表明:固結(jié)磨料CMP的材料去除率是游離磨料的3倍以上,固結(jié)磨料拋光墊,可大幅度提高材料去除效率。
【作者單位】： 鄭州工業(yè)應(yīng)用技術(shù)學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 固結(jié)磨料 SiC晶體 化學(xué)機械拋光 材料去除率
【分類號】：TN304.24
【正文快照】： 0引言目前市場上的6H-Si C單晶片主要用于LED照明,其在LED領(lǐng)域的強大市場牽引力將促使其取代Si成為第三代半導(dǎo)體襯底材料。由于Si C單晶體本身具有較高的硬度和較強的化學(xué)穩(wěn)定性,化學(xué)機械拋光技術(shù)(chenmical mechanicalpolishing,CMP)是目前唯一能夠?qū)崿F(xiàn)Si C單晶體全局平坦化(

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本文編號：822923