發(fā)布時(shí)間：2017-09-09 19:42

  本文關(guān)鍵詞：CMOS反相器低頻噪聲模型及可靠性表征研究

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【摘要】：為了表征CMOS反相器的可靠性,從其負(fù)載電流和輸出電壓的特性入手,詳細(xì)推導(dǎo)了一種基于載流子波動(dòng)理論的低頻噪聲模型,并由實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)驗(yàn)證了模型的準(zhǔn)確性.由實(shí)驗(yàn)結(jié)果可知,負(fù)載電流功率譜密度隨頻率的增加而減小,遵循1/f噪聲的變化規(guī)律;得到了負(fù)載電流歸一化噪聲功率譜密度與器件尺寸的關(guān)系.通過深入研究1/f噪聲與界面態(tài)陷阱密度的關(guān)系,驗(yàn)證了1/f噪聲可用于表征CMOS反相器的可靠性,證明了噪聲幅值越大,器件可靠性越差,失效率顯著增大,為評價(jià)CMOS反相器的靠性提供了一種可行及有效的方法.
【作者單位】： 長春理工大學(xué)電子信息工程學(xué)院;東北電力大學(xué)信息工程學(xué)院;北華大學(xué)電氣信息工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： COMS反相器 低頻噪聲 可靠性 缺陷
【基金】：國家自然科學(xué)基金(No.61271115)
【分類號】：TN432
【正文快照】： 1引言 CMOS反相器是構(gòu)成數(shù)字超大規(guī)模集成電路的基本單元,由P溝道和N溝道兩個(gè)增強(qiáng)型MOS管串聯(lián)組成,在電路中由它構(gòu)成的邏輯非門或靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器具有靜態(tài)功耗極低、抗干擾能力強(qiáng)、電源利用率高、輸入阻抗大、帶負(fù)載能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn).目前在精密數(shù)字元件(如鎖存器、數(shù)據(jù)選擇器

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