發(fā)布時間：2017-09-09 16:07

  本文關鍵詞：采用雙層柵極場板結構的LDMOS器件優(yōu)化設計

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【摘要】：研究了一種N型50 V RFLDMOS器件的結構。該類型器件對擊穿電壓BV和導通電阻R_(DSon)等直流參數(shù)具有較高要求,一般采用具有兩層場板的RESURF結構。通過Taurus TCAD仿真軟件對器件最關鍵的兩個部分即場板和N型輕摻雜漂移區(qū)進行優(yōu)化設計,在提高器件擊穿電壓BV的同時,降低了其導通電阻R_(DSon)。最終仿真得到的擊穿電壓BV為118 V,導通電阻R_(DSon)為23?·mm。
【作者單位】： 上海華力微電子有限公司;
【關鍵詞】： RFLDMOS 擊穿電壓 導通電阻 RESURF 雙層場板 仿真
【基金】：國家科技02重大專項項目資助(No.2012ZX02502)
【分類號】：TN386
【正文快照】： RFLDMOS(射頻橫向擴散金屬氧化物半導體)器件是一種非常具有競爭力的功率器件,最初是用于替代基站的雙極型晶體管[1-2]。其具有線性度好、增益高、耐壓高、輸出功率大、熱穩(wěn)定性好、效率高、寬帶匹配性能好、易于和MOS工藝集成等優(yōu)點[3-4],并且價格遠低于砷化鎵器件。此外,該

【相似文獻】

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1 何進,張興,黃如,王陽元;平面結場板結構表面場分布的二維解析[J];半導體學報;2001年07期

2 許帥;徐政;吳曉鶇;;硅化鈦場板的工藝條件與特性研究[J];電子與封裝;2013年10期

3 張波;提高器件耐壓的非均勻氧化層場板技術[J];半導體技術;1988年04期

4 張e，

本文編號：821417