本文關(guān)鍵詞：超低功耗高精度電壓基準(zhǔn)設(shè)計

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【摘要】：本文設(shè)計了一款適用于超低功耗So C的高精度電壓基準(zhǔn)模塊。本次設(shè)計的電壓基準(zhǔn)模塊創(chuàng)新性的使用了工作于亞閾值區(qū)的MOSFETs來代替?zhèn)鹘y(tǒng)的電路結(jié)構(gòu)。除了用做電阻的工作于線性區(qū)的MOS管之外,其余所有的MOS管均工作在亞閾值區(qū)。仿真結(jié)果表明,整體電路(包含啟動電路)的功耗僅為210n A,電路版圖面積僅為70,在0.7~1.8V的電源電壓范圍內(nèi),電路都能正常輸出大小為630m V的基準(zhǔn)電壓,在-40~125溫度范圍內(nèi),溫漂系數(shù)TC為16ppm,在1k Hz帶寬范圍內(nèi)的電源抑制比PSRR接近50d B。在電源上電以后,電路可以10s內(nèi)快速穩(wěn)定的啟動。
【作者單位】： 吉林大學(xué);
【關(guān)鍵詞】： 超低功耗 高精度 超小面積 全亞閾值 電壓基準(zhǔn)模塊
【正文快照】： 引言 基準(zhǔn)電壓是所有模擬電路中不可缺少的模塊,在大規(guī)模集成電路中有著廣泛的應(yīng)用。隨著可穿戴電子設(shè)備的普及,對內(nèi)部電子芯片也提出了更高的要求,超低功耗、超小面積成為了一種趨勢。工作在亞閾值區(qū)的MOSFETs能夠很好地滿足要求。因此本文提出了一款適用于超低功耗So C的高

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本文編號：820513