本文關(guān)鍵詞：利用界面層提高藍(lán)光有機(jī)發(fā)光二極管性能研究

  更多相關(guān)文章： 藍(lán)光 有機(jī)發(fā)光二極管 三嗪基化合物

【摘要】：近年來,有機(jī)發(fā)光二極管顯示器開始應(yīng)用在各高端顯示產(chǎn)品中引起了人們的廣泛關(guān)注。有機(jī)發(fā)光二極管在研制大視角、低能耗、柔性且便攜性能優(yōu)秀的顯示器方面具備許多陰極射線顯示器和液晶顯示器無法比擬的優(yōu)勢,被譽(yù)為最有潛力的下一代顯示器�，F(xiàn)階段,紅光、綠光有機(jī)發(fā)光二極管的研究已日趨成熟,但是藍(lán)光有機(jī)發(fā)光二極管的色純度、亮度、效率都達(dá)不到產(chǎn)業(yè)化要求,這些嚴(yán)重阻礙了有機(jī)發(fā)光發(fā)光二極管在全色顯示上的廣泛應(yīng)用。限制藍(lán)光器件性能的最重要的因素之一就是從陽極到藍(lán)光發(fā)光層之間有著很深的最高占據(jù)分子軌道能級(jí)差,從而限制了空穴的注入。為此,我們設(shè)計(jì)并提出了一種三嗪基化合物(HQTZ)的界面修飾材料,將這層新的界面修飾材料置于傳統(tǒng)空穴注入層聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)和聚乙烯咔唑(PVK)之間,該界面修飾層能很好的與PEDOT:PSS和PVK兼容,并且能進(jìn)一步提高從陽極氧化銦錫到聚硅芴藍(lán)光發(fā)光層的空穴注入,從而能有效的提高藍(lán)光器件的性能。通過電化學(xué)、紫外-可見吸收光譜、熒光的發(fā)射光譜、紫外光電發(fā)射能譜、開爾文探針、遷移率測試、原子力學(xué)顯微鏡、掃描電子顯微鏡等方式詳細(xì)表征了這種界面修飾材料結(jié)構(gòu)及其器件性能。
【關(guān)鍵詞】：藍(lán)光 有機(jī)發(fā)光二極管 三嗪基化合物
【學(xué)位授予單位】：暨南大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類號(hào)】：TN383.1
【目錄】：

• 摘要3-4
• ABSTRACT4-8
• 第一章 緒論8-20
• 1.1 引言8-9
• 1.2 有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)展9-11
• 1.2.1 單層結(jié)構(gòu)器件9
• 1.2.2 雙層結(jié)構(gòu)器件9-10
• 1.2.3 三層結(jié)構(gòu)器件10
• 1.2.4 多層結(jié)構(gòu)器件10-11
• 1.3 有機(jī)發(fā)光器件常用到的材料11-17
• 1.3.1 電極材料11
• 1.3.2 界面材料11-13
• 1.3.2.1 陰極修飾層12
• 1.3.2.2 陽極修飾層12-13
• 1.3.3 發(fā)光材料13-17
• 1.4 有機(jī)發(fā)光器件的發(fā)光機(jī)理17-19
• 1.4.1 光致發(fā)光17-18
• 1.4.2 電致發(fā)光18-19
• 1.5 本文研究的意義19-20
• 第二章 有機(jī)發(fā)光二極管的制備流程及表征方式20-26
• 2.1 有機(jī)發(fā)光二級(jí)管的制備20-21
• 2.1.1 基片的清洗20
• 2.1.2 溶液的配制20
• 2.1.3 空穴注入層的制備20
• 2.1.4 發(fā)光層的制備20
• 2.1.5 電子傳輸層和電極制備20-21
• 2.2 實(shí)驗(yàn)所需材料與設(shè)備21-22
• 2.3 發(fā)光二極管器件性能表征22-25
• 2.3.1 熒光光譜22
• 2.3.2 電致發(fā)光光譜22-23
• 2.3.3 空穴和電子遷移率測試23
• 2.3.4 原子力顯微鏡(AFM)23-24
• 2.3.5 掃描電子顯微鏡(SEM)24
• 2.3.6 開爾文探針系統(tǒng)(SKPFM)24-25
• 2.3.7 紫外線光電子能譜(UPS)25
• 2.4 本章小結(jié)25-26
• 第三章 三嗪基化合物在高效藍(lán)光有機(jī)發(fā)光器件中的應(yīng)用26-44
• 3.1 三嗪基化合物(HQTZ)的合成26-31
• 3.2.1 HQTZ的電化學(xué)與光學(xué)吸收發(fā)射特性26-27
• 3.2.2 HQTZ的遷移率特性27-28
• 3.2.3 HQTZ的結(jié)構(gòu)特性28-31
• 3.2 藍(lán)光PLED_S的光電性能31-37
• 3.3 藍(lán)光PLED_S的光譜特性37-40
• 3.4 界面修飾層對(duì)陽極功函數(shù)變化影響40-41
• 3.5 器件結(jié)構(gòu)的遷移率特性41-42
• 3.6 界面修飾層的薄膜特性42-43
• 3.7 本章小結(jié)43-44
• 第四章 總結(jié)與展望44-47
• 4.1 總結(jié)44-45
• 4.2 論文創(chuàng)新點(diǎn)45-46
• 4.3 展望46-47
• 參考文獻(xiàn)47-52
• 碩士期間的科研成果52-53
• 致謝53

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