《微電子學(xué)》2016年總目次第46卷總第261~266期
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更多相關(guān)文章: 帶隙基準(zhǔn)源 低噪聲放大器 Capacitor Converter 高線性度 帶隙基準(zhǔn)電路 壓控振蕩器 電荷泵 亞波 HUANG
【摘要】:正~~
【關(guān)鍵詞】: 帶隙基準(zhǔn)源;低噪聲放大器;Capacitor;Converter;高線性度;帶隙基準(zhǔn)電路;壓控振蕩器;電荷泵;亞波;HUANG;
【分類號(hào)】:Z87
【正文快照】: ·電路與系統(tǒng)設(shè)計(jì)· 一種10位80 Ms/s逐次逼近A/D轉(zhuǎn)換器………………………………………陳遐邇,胡剛毅,張勇,倪亞波,范譽(yù)瀟1(1)一種11位過采樣跟蹤型SAR A/D轉(zhuǎn)換器……………………………………………………………………汪荔,賀林1(5)一種新型二分電容DAC的設(shè)計(jì)………………
【相似文獻(xiàn)】
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1 應(yīng)建華;李唯;;一種指數(shù)補(bǔ)償帶隙基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)[J];華中科技大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);2007年06期
2 尹健;李海松;;一種采用二次曲率補(bǔ)償?shù)膸痘鶞?zhǔn)源[J];現(xiàn)代電子技術(shù);2008年23期
3 段茂強(qiáng);楊志家;劉志峰;呂佳樂;;一種采用曲率補(bǔ)償?shù)牡凸膸痘鶞?zhǔn)源[J];微計(jì)算機(jī)信息;2008年32期
4 劉宏;尹勇生;鄧紅輝;;高性能帶隙基準(zhǔn)源的分析與設(shè)計(jì)[J];現(xiàn)代電子技術(shù);2008年07期
5 嚴(yán)葉挺;秦會(huì)斌;黃海云;;一種高精度自偏置帶隙基準(zhǔn)源設(shè)計(jì)[J];電子器件;2009年05期
6 王鑫;李冬梅;;改進(jìn)結(jié)構(gòu)的低壓低功耗CMOS帶隙基準(zhǔn)源[J];半導(dǎo)體技術(shù);2009年11期
7 任若冰;王亞軍;陶健;武曉偉;孫天錫;;一種新型的電流模式曲率補(bǔ)償帶隙基準(zhǔn)源[J];現(xiàn)代電子技術(shù);2011年06期
8 劉志國(guó);戴瀾;;一種帶隙基準(zhǔn)源設(shè)計(jì)研究[J];科技信息;2012年01期
9 吳麗麗;;高電源噪聲抑制比帶隙基準(zhǔn)源設(shè)計(jì)[J];華僑大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);2012年03期
10 楊曉春;于奇;宋文青;董鑄祥;鄭志威;;一種采用斬波調(diào)制的高精度帶隙基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)[J];微電子學(xué)與計(jì)算機(jī);2013年01期
中國(guó)重要會(huì)議論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前2條
1 郭美洋;姚建軍;孫克;;一種曲率補(bǔ)償CMOS帶隙基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)[A];2010’全國(guó)半導(dǎo)體器件技術(shù)研討會(huì)論文集[C];2010年
2 汪洲;劉泰源;廖永波;李平;;一種無(wú)需常規(guī)偏置電流源的高精度CMOS帶隙基準(zhǔn)源[A];四川省電子學(xué)會(huì)半導(dǎo)體與集成技術(shù)專委會(huì)2006年度學(xué)術(shù)年會(huì)論文集[C];2006年
中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條
1 朱靜;基于28nm先進(jìn)工藝的帶隙基準(zhǔn)源芯片設(shè)計(jì)[D];復(fù)旦大學(xué);2014年
2 曹振坤;基于RapidIO協(xié)議下的5Gb/s高速串行數(shù)據(jù)發(fā)送器設(shè)計(jì)[D];北京交通大學(xué);2016年
3 李竹影;一種高性能帶隙基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)[D];西南交通大學(xué);2015年
4 江志偉;低壓二次溫度補(bǔ)償高精度帶隙基準(zhǔn)源設(shè)計(jì)[D];上海交通大學(xué);2006年
5 李正大;集成帶隙基準(zhǔn)源設(shè)計(jì)[D];湖南大學(xué);2012年
6 胡濱;低壓帶隙基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)[D];西安電子科技大學(xué);2011年
7 馮純益;納米工藝下低壓低功耗帶隙基準(zhǔn)源的研究[D];電子科技大學(xué);2013年
8 許聰;高PSRR低功耗LDO的設(shè)計(jì)[D];復(fù)旦大學(xué);2012年
9 張龍;帶過溫保護(hù)的高精度帶隙基準(zhǔn)源的研究與設(shè)計(jì)[D];西南交通大學(xué);2015年
10 崔磊;CMOS帶隙基準(zhǔn)源的研究與設(shè)計(jì)[D];合肥工業(yè)大學(xué);2010年
,本文編號(hào):771338
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