本文關(guān)鍵詞：二維層狀六方氮化硼在芯片散熱中的應(yīng)用

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【摘要】：層狀六方氮化硼(h-BN)作為典型的二維材料之一,近年來由于其優(yōu)良的物理化學(xué)特性受到廣泛關(guān)注,本文利用其橫向熱導(dǎo)率高、絕緣性能好的特點,將其用于功率芯片表面,作為幫助芯片上局部高熱流熱點橫向散熱的絕緣保護層.分別將化學(xué)氣相沉積法制備的單層h-BN薄膜和微米級h-BN顆粒轉(zhuǎn)移到熱測試芯片表面,通過加載不同功率,觀察h-BN對芯片散熱性能的影響.采用電阻-溫度曲線法和紅外熱像儀兩種方法對熱測試芯片的熱點溫度進行檢測.研究結(jié)果表明,h-BN應(yīng)用到熱測試芯片表面,在加載功率約為1W時,可以將芯片熱點溫度降低3~5℃,從而提高芯片散熱效率,并且通過對比發(fā)現(xiàn)單層h-BN薄膜表現(xiàn)出更為理想的散熱效果.
【作者單位】： 上海大學(xué)中瑞聯(lián)合微系統(tǒng)集成技術(shù)中心機電工程與自動化學(xué)院納微研究所;黃山學(xué)院機電工程學(xué)院;查爾姆斯理工大學(xué)微米技術(shù)與納米科學(xué)學(xué)院;瑞典SHT
【關(guān)鍵詞】： 氮化硼 熱測試芯片 單層 散熱
【基金】：國家自然科學(xué)基金面上項目(51272153、61574088) 上海市科委項目(12JC1403900) 安徽省教育廳自然科學(xué)研究項目(KJHS2015B10、KJHS2015B08、KJHS2015B02) 上海市教委高峰學(xué)科建設(shè)計劃、歐盟FP7項目、瑞典戰(zhàn)略研究框架項目SE13-0061、EM11-0002
【分類號】：TN407
【正文快照】： SHT Smart High Tech股份有限公司,瑞典哥德堡SE-411 33)隨著電子元件和系統(tǒng)的體積不斷變小,速度不斷變快,熱處理和可靠性成了影響它們壽命的關(guān)鍵問題[1-2].局部高熱流熱點的熱管理是大功率電子器件的關(guān)鍵,不理想的散熱會造成芯片中特殊區(qū)域溫度過高,影響電子系統(tǒng)性能和電子器，

本文編號：752458