本文關(guān)鍵詞：二維層狀六方氮化硼在芯片散熱中的應(yīng)用

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【摘要】：層狀六方氮化硼(h-BN)作為典型的二維材料之一,近年來(lái)由于其優(yōu)良的物理化學(xué)特性受到廣泛關(guān)注,本文利用其橫向熱導(dǎo)率高、絕緣性能好的特點(diǎn),將其用于功率芯片表面,作為幫助芯片上局部高熱流熱點(diǎn)橫向散熱的絕緣保護(hù)層.分別將化學(xué)氣相沉積法制備的單層h-BN薄膜和微米級(jí)h-BN顆粒轉(zhuǎn)移到熱測(cè)試芯片表面,通過(guò)加載不同功率,觀察h-BN對(duì)芯片散熱性能的影響.采用電阻-溫度曲線法和紅外熱像儀兩種方法對(duì)熱測(cè)試芯片的熱點(diǎn)溫度進(jìn)行檢測(cè).研究結(jié)果表明,h-BN應(yīng)用到熱測(cè)試芯片表面,在加載功率約為1W時(shí),可以將芯片熱點(diǎn)溫度降低3~5℃,從而提高芯片散熱效率,并且通過(guò)對(duì)比發(fā)現(xiàn)單層h-BN薄膜表現(xiàn)出更為理想的散熱效果.
【作者單位】： 上海大學(xué)中瑞聯(lián)合微系統(tǒng)集成技術(shù)中心機(jī)電工程與自動(dòng)化學(xué)院納微研究所;黃山學(xué)院機(jī)電工程學(xué)院;查爾姆斯理工大學(xué)微米技術(shù)與納米科學(xué)學(xué)院;瑞典SHT
【關(guān)鍵詞】： 氮化硼 熱測(cè)試芯片 單層 散熱
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目(51272153、61574088) 上海市科委項(xiàng)目(12JC1403900) 安徽省教育廳自然科學(xué)研究項(xiàng)目(KJHS2015B10、KJHS2015B08、KJHS2015B02) 上海市教委高峰學(xué)科建設(shè)計(jì)劃、歐盟FP7項(xiàng)目、瑞典戰(zhàn)略研究框架項(xiàng)目SE13-0061、EM11-0002
【分類號(hào)】：TN407
【正文快照】： SHT Smart High Tech股份有限公司,瑞典哥德堡SE-411 33)隨著電子元件和系統(tǒng)的體積不斷變小,速度不斷變快,熱處理和可靠性成了影響它們壽命的關(guān)鍵問(wèn)題[1-2].局部高熱流熱點(diǎn)的熱管理是大功率電子器件的關(guān)鍵,不理想的散熱會(huì)造成芯片中特殊區(qū)域溫度過(guò)高,影響電子系統(tǒng)性能和電子器，

本文編號(hào)：752458