本文關鍵詞：GaN基納米陣列LED器件制備及發(fā)光特性

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【摘要】：為了降低GaN材料中因應變誘導的量子斯托克斯效應,增加器件有源區(qū)內的電子-空穴波函數在實空間的交疊從而提高GaN基LEDs的發(fā)光效率,采用紫外軟壓印技術制備了均勻的周期性納米柱陣列結構,結合常規(guī)LED器件微加工技術獲得了In GaN/GaN基藍光與綠光納米陣列LED器件并對其進行了表征分析。結果表明:納米柱陣列LED器件具有均勻的發(fā)光和穩(wěn)定的光電性能。納米結構不僅有效緩解了量子阱中的應力積累(弛豫度~70%),提高了器件的輻射復合幾率和出光效率,同時結合納米柱側壁的化學鈍化處理進一步降低了器件有源區(qū)的缺陷密度,顯著降低了LED器件的漏電流(~10-7),最終提高了器件的發(fā)光效率。
【作者單位】： 南京大學電子科學與工程學院;
【關鍵詞】： InGaN/GaN 發(fā)光二極管 納米柱 納米壓印
【基金】：國家重點研發(fā)計劃(2016YFB0400602,2016YFB0400100) 國家高技術研究發(fā)展規(guī)劃(2014AA032605,2015AA033305) 國家自然科學基金(61605071,61674076,61274003,61422401,51461135002,61334009) 江蘇省自然科學基金(BY2013077,BK20141320,BE2015111) 固態(tài)照明與節(jié)能電子學協(xié)同創(chuàng)新中心項目 江蘇省重點學科資助計劃 南京大學揚州光電研究院研發(fā)基金資助項目
【分類號】：TN312.8
【正文快照】： 1引言近些年來,隨著Ⅲ族氮化物材料的飛速發(fā)展,基于Ⅲ族氮化物半導體材料的光電器件越來越受到人們的重視。特別是氮化鎵基發(fā)光二極管(LEDs),已經在諸多領域得到廣泛應用,如固態(tài)照明、信號燈和屏幕顯示等[1]。常規(guī)氮化鎵基LED通常在c面藍寶石襯底上外延In Ga N/Ga N多量子阱結

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