本文關鍵詞：InP基器件金屬接觸研究

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【摘要】：本文主要對InP基相關器件和工藝尤其是InP基金半接觸,InP/InGaAs紅外探測器,以及其中的鈍化工藝做了較為深入的研究。首先系統(tǒng)研究了TiW/p-InP肖特基接觸的電學性質,比較了在不同的退火條件下,表面形貌以及電學參數的變化。用熱發(fā)射模型從I-V曲線提取了勢壘高度,以及理想因子,發(fā)現(xiàn)它們隨溫度呈現(xiàn)線性變化的規(guī)律。這一現(xiàn)象可以用金屬-半導體(M-S)表面接觸的非均勻模型來解釋。勢壘高度隨溫度的變化符合高斯分布。然后又測量了器件的C-V特性隨溫度變化的特性,且比較了不同頻率下從C-V特性中提取的勢壘高度。對比I-V方法,此法排除了界面態(tài)的影響。然后研究了TiW/p-InP肖特基接觸的C-V特性,發(fā)現(xiàn)了反常負電容現(xiàn)象,這是由界面態(tài)和串聯(lián)電阻(Rs)的影響所導致的。同時計算了Rs的值并且用它對測量到的電容(C)和電導(G)的值做了修正。接下來針對ICPCVD和PECVD工藝對InP表面的鈍化效果做了討論。對不同工藝生長的SiNx作為介電層的Au/SiNx/p-InP肖特基勢壘二極管的電學特性進行了研究,與PECVD工藝生長介電層的器件相比,發(fā)現(xiàn)ICPCVD工藝生長介電層的器件的理想因子值更小一些,勢壘高度更低一些。同時比較了兩種工藝條件下的界面態(tài)密度,發(fā)現(xiàn)ICPCVD工藝的界面態(tài)比PECVD工藝更低一些。最后研究了InGaAs/InP探測器的暗電流特性和光電流特性,首先用軟件對器件的結構參數進行設計,仿真了暗電流和光電流特性,然后根據仿真結果制備了器件,同時測量了器件的特性,并對實驗值和仿真值進行了比較,發(fā)現(xiàn)實驗值和仿真值符合的很好,證明了仿真的正確性。實驗結果表明該器件具有較高的響應度,并對器件的暗電流組分進行了分析。
【關鍵詞】：磷化銦 金半接觸 紅外探測器 鈍化工藝
【學位授予單位】：蘇州大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2016
【分類號】：TN215
【目錄】：

• 中文摘要4-5
• Abstract5-8
• 第一章 緒論8-27
• 1.1 InP材料概述8-11
• 1.2 InGaAs /InP紅外探測器11-15
• 1.3 肖特基接觸15-23
• 1.4 本文的主要工作及內容安排23-24
• 參考文獻24-27
• 第二章 TiW/p-InP肖特基二極管的I-V和C-V特性研究27-48
• 2.1 引言27-28
• 2.2 實驗流程28-29
• 2.3 測量與討論29-44
• 2.3.1 不同退火條件的影響29-35
• 2.3.2 變溫I-V測試35-42
• 2.3.3 C-V特性42-44
• 2.4 本章小結44-45
• 參考文獻45-48
• 第三章 TiW/p-InP肖特基二極管的反常電容研究48-58
• 3.1 引言48-49
• 3.2 測量與討論49-55
• 3.2.1 變頻C-V特性49-53
• 3.2.2 變溫C-V特性53-55
• 3.3 本章小結55-56
• 參考文獻56-58
• 第四章 不同CVD工藝對InP表面鈍化的研究58-68
• 4.1 引言58-59
• 4.2 實驗流程59-60
• 4.3 測量與討論60-65
• 4.4 本章小結65-66
• 參考文獻66-68
• 第五章 InGaAs /InP紅外探測器的研究68-78
• 5.1 引言68
• 5.2 InGaAs/InP p-i-n探測器的仿真68-70
• 5.3 實驗流程70-73
• 5.4 測量與討論73-75
• 5.5 本章小結75
• 參考文獻75-78
• 第六章 結論及未來工作78-80
• 攻讀碩士學位期間發(fā)表的論文80-81
• 致謝81-82

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4 ;西安電子科技大學“寬禁帶半導體材料與器件”教育部重點實驗室[J];技術與創(chuàng)新管理;2007年04期

5 葉立劍;南京固體器件研究所召開第十一次科研成果鑒定會——31項科研成果通過鑒定[J];固體電子學研究與進展;1984年01期

6 沈玉全，，,王玉堂;有機光電子材料和器件研究進展[J];高技術通訊;1994年02期

7 舒學鏞,何小樂;薄膜SOI器件和材料的研究和發(fā)展方向[J];微電子技術;1994年05期

8 章從福;;長春應用化學所OTFT器件研究取得突破[J];半導體信息;2007年02期

9 李德祿;馬杰;;聚合物AWG器件研究內容綜述[J];中國科技信息;2011年12期

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3 童利民;;微納光纖及其器件研究進展[A];2008介觀光學及其應用研討會論文集[C];2008年

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1 本報記者 操秀英;進軍多學科前沿交叉新領域[N];科技日報;2010年

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本文編號：745914