本文關(guān)鍵詞：硅材料界面形態(tài)演化過(guò)程的相場(chǎng)法研究

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【摘要】：采用有限差分法求解高界面能各向異性的相場(chǎng)模型,對(duì)硅材料晶粒生長(zhǎng)過(guò)程進(jìn)行模擬,分析了界面能各向異性強(qiáng)度和過(guò)冷度對(duì)界面形態(tài)演化的影響。結(jié)果表明:在高界面能各向異性下,硅晶粒為典型小平面枝晶形態(tài),模擬結(jié)果和實(shí)驗(yàn)結(jié)果吻合。隨著界面能各向異性強(qiáng)度的增大,晶粒界面形態(tài)由類(lèi)球狀經(jīng)光滑枝晶向小平面枝晶轉(zhuǎn)變;隨著過(guò)冷度的增加,晶粒界面形態(tài)由類(lèi)矩形向小平面枝晶轉(zhuǎn)變。Y軸正方向晶粒長(zhǎng)度在界面能各向異性強(qiáng)度為0.15和0.1時(shí)相當(dāng),Y軸正方向晶粒尖端溫度在界面能各向異性強(qiáng)度為0.15時(shí)略高于界面能各向異性強(qiáng)度為0.1時(shí)的值。
【作者單位】： 商洛學(xué)院陜西省尾礦資源綜合利用重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;商洛學(xué)院電子信息與電氣工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 相場(chǎng)法 界面形態(tài) 硅材料 界面能各向異性強(qiáng)度 過(guò)冷度
【基金】：商洛市科技局資助項(xiàng)目(SK2014-01-01) 2015年度國(guó)家級(jí)大學(xué)生創(chuàng)新訓(xùn)練資助項(xiàng)目(201511396718)
【分類(lèi)號(hào)】：TN304.12
【正文快照】： 世界經(jīng)濟(jì)已進(jìn)入信息化發(fā)展時(shí)期,電子信息技術(shù)是信息化群體的先導(dǎo),而半導(dǎo)體硅材料的品質(zhì)主導(dǎo)著電子信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的興衰。半導(dǎo)體硅材料凝固過(guò)程中形成的晶粒界面形態(tài)決定硅材料電子產(chǎn)品的品質(zhì)和性能。通過(guò)分析不同條件下的界面形態(tài),探討界面形態(tài)對(duì)半導(dǎo)體硅材料信息傳輸質(zhì)量的影，

本文編號(hào)：738645