本文關鍵詞：硅材料界面形態(tài)演化過程的相場法研究

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【摘要】：采用有限差分法求解高界面能各向異性的相場模型,對硅材料晶粒生長過程進行模擬,分析了界面能各向異性強度和過冷度對界面形態(tài)演化的影響。結果表明:在高界面能各向異性下,硅晶粒為典型小平面枝晶形態(tài),模擬結果和實驗結果吻合。隨著界面能各向異性強度的增大,晶粒界面形態(tài)由類球狀經(jīng)光滑枝晶向小平面枝晶轉變;隨著過冷度的增加,晶粒界面形態(tài)由類矩形向小平面枝晶轉變。Y軸正方向晶粒長度在界面能各向異性強度為0.15和0.1時相當,Y軸正方向晶粒尖端溫度在界面能各向異性強度為0.15時略高于界面能各向異性強度為0.1時的值。
【作者單位】： 商洛學院陜西省尾礦資源綜合利用重點實驗室;商洛學院電子信息與電氣工程學院;
【關鍵詞】： 相場法 界面形態(tài) 硅材料 界面能各向異性強度 過冷度
【基金】：商洛市科技局資助項目(SK2014-01-01) 2015年度國家級大學生創(chuàng)新訓練資助項目(201511396718)
【分類號】：TN304.12
【正文快照】： 世界經(jīng)濟已進入信息化發(fā)展時期,電子信息技術是信息化群體的先導,而半導體硅材料的品質主導著電子信息技術產(chǎn)業(yè)的興衰。半導體硅材料凝固過程中形成的晶粒界面形態(tài)決定硅材料電子產(chǎn)品的品質和性能。通過分析不同條件下的界面形態(tài),探討界面形態(tài)對半導體硅材料信息傳輸質量的影，

本文編號：738645