本文關(guān)鍵詞：基于無機p型NiO緩沖層的鈣鈦礦發(fā)光二極管發(fā)光特性研究

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【摘要】：【目的】研究如何提高溴基鈣鈦礦(CH3NH3PbBr3)發(fā)光二極管的發(fā)光亮度�！痉椒ā客ㄟ^在氧化銦錫(ITO)玻璃基底上引入無機p型NiO緩沖層與有機聚合物聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT∶PSS)形成有機/無機雜化空穴傳輸層,提高空穴注入效率,降低電子溢出�！窘Y(jié)果】引入無機p型NiO緩沖層形成有機/無機雜化空穴傳輸層后,發(fā)光二極管的發(fā)光亮度提高了約1倍�！窘Y(jié)論】該方法不僅可降低PEDOT∶PSS對ITO基底的腐蝕,還能顯著提高空穴注入效率,提高發(fā)光二極管的發(fā)光亮度。
【作者單位】： 廣西大學物理科學與工程技術(shù)學院;
【關(guān)鍵詞】： 鈣鈦礦 空穴傳輸層 雜化 發(fā)光二極管
【基金】：國家自然科學基金項目(11504060) 廣西壯族自治區(qū)教育廳高等學�？茖W研究項目(KY2015ZD006) 廣西大學博士啟動項目(XBZ160084)資助
【分類號】：TN312.8
【正文快照】： 0引言【研究意義】近年來,有機/無機金屬鹵化物鈣鈦礦材料(CH3NH3PbX3,X代表鹵族元素)成為光伏和發(fā)光器件領(lǐng)域研究的熱點之一,其中鈣鈦礦太陽能電池的效率從3.8%迅速發(fā)展到已認證的22.1%,達到了商用硅基太陽電池的效率水平[1-2],而作為新型有機/無機雜化半導體材料,鈣鈦礦材料

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