發(fā)布時間：2017-08-23 04:42

  本文關(guān)鍵詞：第3代半導(dǎo)體發(fā)展概述及我國的機遇、挑戰(zhàn)與對策

  更多相關(guān)文章： 半導(dǎo)體材料 電力電子器件 半導(dǎo)體照明 固態(tài)光源 帶隙寬度 產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級 半導(dǎo)體技術(shù) 抗輻射能力 智能電網(wǎng) 禁帶

【摘要】：正第3代半導(dǎo)體材料是指帶隙寬度明顯大于硅(Si)(1.1eV)和砷化鎵(GaAs)(1.4eV)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。它具備禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速率高、抗輻射能力強等優(yōu)越性能,是固態(tài)光源、下一代射頻和電力電子器件的"核心",在半導(dǎo)體照明、消費類電子、5G移動通信、新能源汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通等領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景,有望突破傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)的瓶頸,與第1代、第2代半導(dǎo)體技術(shù)互補,對節(jié)能減排、產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級、催生
【作者單位】： 北京半導(dǎo)體照明科技促進中心;中關(guān)村半導(dǎo)體照明聯(lián)合創(chuàng)新重點實驗室;
【關(guān)鍵詞】： 半導(dǎo)體材料;電力電子器件;半導(dǎo)體照明;固態(tài)光源;帶隙寬度;產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級;半導(dǎo)體技術(shù);抗輻射能力;智能電網(wǎng);禁帶;
【分類號】：F426.63
【正文快照】： 第3代半導(dǎo)體材料是指帶隙寬度明顯大于硅(Si)(1.1e V)和砷化鎵(Ga As)(1.4e V)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。它具備禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速率高、抗輻射能力強等優(yōu)越性能,是固態(tài)光源、下一代射頻和電力電子器件的“核心”,在半導(dǎo)體照明、消費類電子、5G移動

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