單晶硅表面金字塔微結(jié)構(gòu)反射特性的研究
發(fā)布時(shí)間:2017-08-22 22:04
本文關(guān)鍵詞:單晶硅表面金字塔微結(jié)構(gòu)反射特性的研究
更多相關(guān)文章: 衍射 抗反射 時(shí)域有限差分法 金字塔 單晶硅
【摘要】:通過(guò)對(duì)化學(xué)腐蝕法制備的單晶硅表面微結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析,建立了一種金字塔微結(jié)構(gòu)的數(shù)學(xué)模型,采用時(shí)域有限差分法(FDTD)數(shù)值計(jì)算了波長(zhǎng)在300~1 000nm范圍內(nèi)微結(jié)構(gòu)表面反射率隨波長(zhǎng)的變化規(guī)律,并將計(jì)算結(jié)果與實(shí)驗(yàn)測(cè)量結(jié)果進(jìn)行了比較、分析和解釋。在此基礎(chǔ)上,針對(duì)不同實(shí)驗(yàn)條件下所形成的金字塔微結(jié)構(gòu)差異,數(shù)值計(jì)算了幾種不同參數(shù)金字塔結(jié)構(gòu)表面的反射率隨波長(zhǎng)的變化規(guī)律。研究表明,反射率隨金字塔的占空比和傾角的增大而減小,而金字塔尺寸變化對(duì)反射率的影響較小。當(dāng)金字塔的結(jié)構(gòu)參數(shù)為底邊長(zhǎng)2μm、占空比1、傾角約60°時(shí)減反效果較好,平均反射率僅為6.28%。
【作者單位】: 南京航空航天大學(xué)理學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】: 衍射 抗反射 時(shí)域有限差分法 金字塔 單晶硅
【基金】:國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(51577091)
【分類(lèi)號(hào)】:TN304.12
【正文快照】: 0引言單晶硅太陽(yáng)電池因其穩(wěn)定性好、轉(zhuǎn)換效率較高以及日趨成熟的工藝生產(chǎn)技術(shù)而在光伏市場(chǎng)一直占據(jù)主導(dǎo)地位。由于硅的折射率較大,其表面對(duì)太陽(yáng)光的反射率高,會(huì)嚴(yán)重降低電池轉(zhuǎn)換效率。為了消除這一不利現(xiàn)象,目前主要通過(guò)兩種表面處理途徑來(lái)降低硅材料表面對(duì)光的反射率[1-2],一
【相似文獻(xiàn)】
中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前1條
1 ;金字塔的詮釋[J];新電子;2001年01期
,本文編號(hào):721273
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