發(fā)布時間：2017-08-22 21:44

  本文關(guān)鍵詞：ITO像素電極工序?qū)τ贖ADS產(chǎn)品TFT特性的影響

  更多相關(guān)文章： 高開口率高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù) 非晶硅 薄膜電晶體 Poole-Frenkel

【摘要】：通過不同TFT幾何結(jié)構(gòu)驗證ITO像素電極工序?qū)τ贖ADS產(chǎn)品TFT特性的影響。實驗結(jié)果顯示TN5mask與倒反HADS結(jié)構(gòu)(源漏極→ITO像素電極)二者有比現(xiàn)行HADS結(jié)構(gòu)(ITO像素電極→源漏極)更高的Ion,提升比率達到40%。推測主要原因為現(xiàn)行HADS結(jié)構(gòu)(ITO像素電極→源漏極)在Si島完成后進行ITO像素電極工序增加了N+與源漏極之間接觸阻抗導(dǎo)致Ion降低。對于HADS產(chǎn)品,倒反HADS結(jié)構(gòu)(源漏極→ITO像素電極)可以具有更好的TFT特性表現(xiàn)。對現(xiàn)行HADS結(jié)構(gòu),在溝道形成工序前的N+表面ITO殘沙程度越少則Ioff越低;對于倒反HADS結(jié)構(gòu),溝道形成之后溝道表面ITO殘沙程度對則對TFT特性沒有明顯影響。對于Poole-Frenkel區(qū)域,現(xiàn)行HADS結(jié)構(gòu)(ITO像素電極→源漏極)比TN5mask與倒反HADS結(jié)構(gòu)(源漏極→ITO像素電極)二者較低Ioff[Vg=-20V],下降達50%,主要為N+與源漏極之間接觸阻抗增加的影響。
【作者單位】： 合肥鑫晟光電科技有限公司;
【關(guān)鍵詞】： 高開口率高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù) 非晶硅 薄膜電晶體 Poole-Frenkel
【分類號】：TN321.5
【正文快照】： (Xingsheng Optoelectronics Technology Co.,Ltd,Hefei 230012,China)1引言現(xiàn)今顯示技術(shù)范疇中,液晶顯示(LiquidCrystal Display,LCD)是當(dāng)今平板顯示(FlatPanel Display,FPD)的技術(shù)主流,其中非晶硅薄膜晶體管(a-Si TFT)是主要的液晶顯示技術(shù)。a-Si TFT作為陣列的開關(guān)元件,其，

本文編號：721147