發(fā)布時間：2017-08-19 07:25

  本文關(guān)鍵詞：EBCMOS混合型光電探測器研究

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【摘要】：介紹了EBCMOS探測器的工作原理、器件結(jié)構(gòu)與發(fā)展歷史。詳細闡述了EBS增益機理,實現(xiàn)了600倍的EBS增益,并將EBCMOS與幾種常見探測器特性進行了深入的對比研究。EBCMOS探測器將真空器件與半導體器件有機結(jié)合,融合了真空光電探測器增益高、響應速度快、光譜靈活和半導體器件空間分辨率高、數(shù)字化輸出、功耗低和成本低等優(yōu)點。目前已在生物檢測、微光夜視、激光雷達等諸多領(lǐng)域取得了廣泛的應用。
【作者單位】： 中國電子科技集團公司第五十五研究所;
【關(guān)鍵詞】： 電子轟擊互補金屬氧化物 混合型光電探測器 光電陰極 電子轟擊半導體(EBS)增益 激光雷達
【基金】：國家自然科學基金資助項目(61605180)
【分類號】：TN15
【正文快照】： 引言低照度條件下的微弱信號探測成像技術(shù)憑借其在軍事和民用兩大領(lǐng)域內(nèi)的廣泛應用背景,歷來是世界各國爭相研究的熱點。從光電探測原理角度出發(fā),目前光電探測器主要分為三大類:第一類主要是真空光電器件中的像增強器和光電倍增管;第二類以半導體光電探測器為主,包括低照度CMO

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本文編號：699422