發(fā)布時(shí)間：2017-08-19 00:22

  本文關(guān)鍵詞：IGBT模塊電氣參數(shù)測(cè)試及分析

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【摘要】：針對(duì)不同集電極電流及開關(guān)頻率下的開關(guān)過程設(shè)計(jì)并搭建了IGBT電氣參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)。試驗(yàn)測(cè)錄了IGBT模塊在開關(guān)過程中的電壓、電流波形,對(duì)電壓、電流波形進(jìn)行數(shù)據(jù)處理,得到IGBT模塊的開關(guān)時(shí)間和開關(guān)損耗;根據(jù)對(duì)IGBT模塊的開關(guān)損耗進(jìn)行分析,得到IGBT模塊的開關(guān)損耗在隨著集電極電流和開關(guān)頻率變化的規(guī)律。
【作者單位】： 河北工業(yè)大學(xué)電氣工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： IGBT模塊 開關(guān)波形 開通時(shí)間 關(guān)斷時(shí)間 開通損耗 關(guān)斷損耗
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(51377044) 河北省科技計(jì)劃基金資助項(xiàng)目(13214303D)
【分類號(hào)】：TN322.8
【正文快照】： 在新能源領(lǐng)域上,絕緣柵型晶體管(insulated正常運(yùn)行的情況下,由于其自身損耗引起的溫升,gate bipolar transistor,IGBT)是應(yīng)用非常廣泛的器對(duì)器件的可靠性影響很大。了解IGBT開關(guān)損耗件。IGBT模塊電氣參數(shù)測(cè)試有助于了解IGBT的情況可為下一步選擇合適的散熱系統(tǒng)、提高系統(tǒng)性能

【相似文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫 前5條

1 高琰,亢寶位,程序;一種具有新耐壓層結(jié)構(gòu)的IGBT[J];半導(dǎo)體技術(shù);2003年07期

2 吳郁,陸秀洪,亢寶位,王哲,程序,高琰;低功耗IGBT(LPL-IGBT)及其仿真[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);2001年12期

3 高昂;慕德俊;胡延蘇;;鉗位型RDC緩沖電路分析[J];測(cè)控技術(shù);2009年10期

4 李平;唐勇;程勤s，

本文編號(hào)：697624