本文關(guān)鍵詞：Li原子在ZnTe晶體中遷移行為的第一性原理研究

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【摘要】：該文采用密度泛函理論的廣義梯度近似方法計(jì)算了Li原子在II-VI半導(dǎo)體碲化鋅中可能穩(wěn)定存在間隙位置的嵌入能.計(jì)算表明,Li原子在ZnTe中最穩(wěn)定存在位置位于四個(gè)Te原子所構(gòu)成的四面體的中心,四個(gè)Zn原子所構(gòu)成的四面體間隙位的嵌入能相對(duì)稍大,是次穩(wěn)定存在位置.利用Nudged Elastic Band(NEB)方法計(jì)算了單個(gè)Li原子在ZnTe半導(dǎo)體中可能的遷移路徑和遷移能壘,遷移路徑沿著晶體的[111]或等效方向,成鋸齒狀,遷移能壘為0.28e V.
【作者單位】： 南京曉莊學(xué)院電子工程學(xué)院;南京師范大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： Li原子 ZnTe 遷移行為 密度泛函理論
【基金】：江蘇省高校自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(13KJD140002)
【分類號(hào)】：TN304.25;O641.1
【正文快照】： 0引言寬禁帶II-VI族半導(dǎo)體因?yàn)樘赜械慕麕挾群洼^高的光吸收系數(shù)在太陽(yáng)能電池、紅外探測(cè)器、發(fā)光二極管等方面有著重要的應(yīng)用.碲化鋅為直隙半導(dǎo)體,2K時(shí)的禁帶寬度為2.394e V,室溫下為2.26e V.本征Zn Te半導(dǎo)體電阻率高,通常情況下,p型摻雜的Zn Te容易做到,第一主族元素和第一

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