碳化硅量子點表面物化特性的計算模擬
本文關(guān)鍵詞:碳化硅量子點表面物化特性的計算模擬
更多相關(guān)文章: 碳化硅量子點 X射線粉末衍射 晶體結(jié)構(gòu) 化學吸附
【摘要】:采用化學腐蝕法制備碳化硅(SiC)量子點熒光材料,對其進行Fourier變換紅外光譜分析及X射線粉末衍射結(jié)構(gòu)解析,研究了SiC量子點的晶體結(jié)構(gòu),而后基于密度泛函理論的CASTEP平面波模守恒贗勢對SiC量子點表面不同功能團的吸附機制進行計算模擬。結(jié)果表明:SiC量子點屬于面心立方晶系,修正后的點陣參數(shù)為:a=b=c=0.434 8 nm,α=β=γ=90°,空間群為F-43m,晶型為3C-SiC,每單胞含化學式Z=4。Rietveld精修的2個主要可靠因子分別為:R_p=10.82%,R_(wp)=14.72%。 COOH、 OH功能團能夠在SiC量子點表面形成穩(wěn)定的化學鍵結(jié)合,鍵能分別為2.65、5.09 eV,并對吸附后構(gòu)型的態(tài)密度、電子密度分布及其成鍵機理進行了分析探討。
【作者單位】: 山東農(nóng)業(yè)大學機械與電子工程學院山東省園藝機械與裝備重點實驗室;山東農(nóng)業(yè)大學園藝科學與工程學院;山東交通職業(yè)學院中職學院;
【關(guān)鍵詞】: 碳化硅量子點 X射線粉末衍射 晶體結(jié)構(gòu) 化學吸附
【基金】:山東省科技發(fā)展計劃項目(2014GGX102012) 中國博士后科學基金(2013M53163)項目 山東省現(xiàn)代農(nóng)業(yè)產(chǎn)品技術(shù)體系果品創(chuàng)新團隊專項經(jīng)費資助項目
【分類號】:O471.1
【正文快照】: 碳化硅量子點是尺寸在1~10 nm之間的納米顆粒,具有獨特的量子尺寸效應(yīng),表現(xiàn)出良好的光學特性,如吸收光譜寬而連續(xù),發(fā)射光譜窄而對稱,Stokes位移大,發(fā)射光譜檢出率高,抗光漂白能Received date:2015 11 03.Revised date:2016 01 04.First author:ZHU Yanmin(1987 ),female,
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【相似文獻】
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本文編號:669335
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