本文關(guān)鍵詞：碳化硅量子點(diǎn)表面物化特性的計(jì)算模擬

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【摘要】：采用化學(xué)腐蝕法制備碳化硅(SiC)量子點(diǎn)熒光材料,對(duì)其進(jìn)行Fourier變換紅外光譜分析及X射線粉末衍射結(jié)構(gòu)解析,研究了SiC量子點(diǎn)的晶體結(jié)構(gòu),而后基于密度泛函理論的CASTEP平面波模守恒贗勢(shì)對(duì)SiC量子點(diǎn)表面不同功能團(tuán)的吸附機(jī)制進(jìn)行計(jì)算模擬。結(jié)果表明:SiC量子點(diǎn)屬于面心立方晶系,修正后的點(diǎn)陣參數(shù)為:a=b=c=0.434 8 nm,α=β=γ=90°,空間群為F-43m,晶型為3C-SiC,每單胞含化學(xué)式Z=4。Rietveld精修的2個(gè)主要可靠因子分別為:R_p=10.82%,R_(wp)=14.72%。 COOH、 OH功能團(tuán)能夠在SiC量子點(diǎn)表面形成穩(wěn)定的化學(xué)鍵結(jié)合,鍵能分別為2.65、5.09 eV,并對(duì)吸附后構(gòu)型的態(tài)密度、電子密度分布及其成鍵機(jī)理進(jìn)行了分析探討。
【作者單位】： 山東農(nóng)業(yè)大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院山東省園藝機(jī)械與裝備重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;山東農(nóng)業(yè)大學(xué)園藝科學(xué)與工程學(xué)院;山東交通職業(yè)學(xué)院中職學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 碳化硅量子點(diǎn) X射線粉末衍射 晶體結(jié)構(gòu) 化學(xué)吸附
【基金】：山東省科技發(fā)展計(jì)劃項(xiàng)目(2014GGX102012) 中國(guó)博士后科學(xué)基金(2013M53163)項(xiàng)目 山東省現(xiàn)代農(nóng)業(yè)產(chǎn)品技術(shù)體系果品創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)專(zhuān)項(xiàng)經(jīng)費(fèi)資助項(xiàng)目
【分類(lèi)號(hào)】：O471.1
【正文快照】： 碳化硅量子點(diǎn)是尺寸在1~10 nm之間的納米顆粒,具有獨(dú)特的量子尺寸效應(yīng),表現(xiàn)出良好的光學(xué)特性,如吸收光譜寬而連續(xù),發(fā)射光譜窄而對(duì)稱(chēng),Stokes位移大,發(fā)射光譜檢出率高,抗光漂白能Received date:2015 11 03.Revised date:2016 01 04.First author:ZHU Yanmin(1987 ),female,

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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【二級(jí)參考文獻(xiàn)】

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6 宋月鵬;康杰;高東升;李江濤;王曉波;尹承苗;毛志泉;;尖孢鐮刀菌碳化硅量子點(diǎn)標(biāo)記及其長(zhǎng)時(shí)程熒光成像[J];農(nóng)業(yè)工程學(xué)報(bào);2013年17期

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【相似文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：669335