本文關(guān)鍵詞：新型ENEPIG封裝基板化學鍍鈀工藝優(yōu)化

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【摘要】：化學鍍鈀是制作新型ENEPIG印制電路板最關(guān)鍵的工藝,從化學鍍鈀反應機理入手,分析了影響質(zhì)量的工藝參數(shù),運用實驗設計中健壯設計的實驗方法,對工藝參數(shù)進行了優(yōu)化,找到了新型ENEPIG印制電路板中化學鍍鈀的最優(yōu)工藝參數(shù):2.2 g/L氯化鈀,13.2 g/L次磷酸鈉,165 m L/L氫氧化銨,33 g/L氯化銨,鍍液θ為55℃,pH為9.6。驗證試驗表明,應用改善后的鍍鈀工藝,鈀的沉積速率明顯加快,集中度也得到顯著提高。
【作者單位】： 濰坊學院;
【關(guān)鍵詞】： 印制電路板 化學鍍鈀 工藝 參數(shù)優(yōu)化
【基金】：國家星火計劃項目(2011GA740047) 山東省自然科學基金項目(ZR2012EML03) 山東省國際科技合作計劃項目(201013) 山東省高等學�？萍加媱濏椖�(J12LA57) 山東省星火計劃項目(2011XH06025)
【分類號】：TN41
【正文快照】： 引言在MEMS封裝領(lǐng)域,封裝基板是承載器件的基礎,其最大的隱患“黑墊”問題困擾了業(yè)界很長時間,為徹底解決該問題,開發(fā)了新型的ENEPIG(Electroless Nickel,Electroless Palladium,and Immer-sion Gold,化學鍍鎳,化學鍍鈀與浸金)封裝基板,這種基板表面保護工藝最突出的改善是在

【二級參考文獻】

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1 顧，

本文編號：664817