本文關鍵詞：富銦熔體生長InP單晶的晶體缺陷及物理特性

  更多相關文章： 磷化銦 液封直拉(LEC)法 晶體生長 富銦夾雜 光熒光譜(PL-Mapping)

【摘要】：通過磷注入法合成并利用液封直拉法(LEC)生長了富銦InP單晶,將晶錠進行定向切割、研磨和拋光,得到InP拋光片。用金相顯微鏡、掃描電鏡、快速掃描光熒光譜(PL-Mapping)技術、高分辨率XRD射線衍射技術研究了富銦非摻InP單晶樣品特性。結果表明,在富銦條件下生長的InP單晶會出現富銦夾雜,這種富銦夾雜可導致其周圍位錯密度升高,同時富銦夾雜在晶片內分布也是不均勻的,在晶片中心部分富銦夾雜的密度高,在邊緣部分密度低。對富銦夾雜形成及不均勻分布的原因進行了分析,討論了富銦夾雜對PL-Mapping發(fā)光峰峰值的影響。
【作者單位】： 河北工業(yè)大學電子信息工程學院;中國電子科技集團公司第十三研究所專用集成電路重點實驗室;
【關鍵詞】： 磷化銦 液封直拉(LEC)法 晶體生長 富銦夾雜 光熒光譜(PL-Mapping)
【基金】：國家自然科學基金資助項目(51401186) 河北省自然科學基金資助項目(F2014202184) 天津市自然科學基金資助項目(15JCZDJC37800)
【分類號】：TN304.2
【正文快照】： 0引言磷化銦(In P)是繼硅(Si)、砷化鎵(Ga As)之后一種非常重要的半導體材料,具有閃鋅礦結構。與硅相比,In P材料具有優(yōu)異的物理特性,如直接帶隙、電子遷移率高、抗輻射、熱導率高等。以In P為襯底制作的光電器件和微電子器件,廣泛應用于光纖通信、衛(wèi)星通信、太陽電池以及光電

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本文編號：640517