本文關鍵詞：低功耗單片低噪聲放大器芯片

  更多相關文章： 低噪聲放大器 電流復用 低功耗 有源偏置 魯棒性

【摘要】：基于0.15μm GaAs pHMET工藝技術的管芯特性分析,采用電流復用結構及有源偏置技術,研制了一款高魯棒性低功耗單片低噪聲放大器芯片.該款芯片具有三級拓撲結構,采用源極負反饋提高芯片穩(wěn)定性,采用有源偏置技術彌補工藝波動現(xiàn)象造成的芯片性能波動.供電電壓為5V的條件下,芯片的工作帶寬為19~24GHz,增益和噪聲系數(shù)分別為(24.7±0.2),(1.4±0.1)dB,電路總電流僅為5mA.芯片尺寸為2mm×1mm.與其他相同工作頻率、使用傳統(tǒng)技術的芯片相比,噪聲系數(shù)和電路功耗方面具有明顯的優(yōu)勢.
【作者單位】： 浙江工業(yè)大學信息工程學院;浙江大學航空航天學院;廣東工業(yè)大學物理與光電學院;
【關鍵詞】： 低噪聲放大器 電流復用 低功耗 有源偏置 魯棒性
【基金】：廣東省重大科技計劃資助項目(2015B010112002) 廣州市科技計劃項目(201504290917571)
【分類號】：TN722.3
【正文快照】： 科學技術日新月異的今天,微波單片集成電路(MMIC)技術廣泛應用于軍事[1]、航天和民用方面,已經(jīng)成為我國發(fā)展各種高科技武器的重要支柱產(chǎn)業(yè)[2].同時近幾年我國對軍工技術的需求日益增大,我國的MMIC產(chǎn)業(yè)得到了迅速的發(fā)展.單片低噪聲放大器作為微波單片集成電路的重要部分[3],主

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