本文關(guān)鍵詞：加熱器位置對多晶硅定向凝固熱場的影響

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【摘要】：運用有限元軟件COMSOL Multiphysics 4.3a對多晶硅定向凝固過程進行了全局瞬態(tài)模擬,在多晶硅鑄錠爐頂部加熱器與側(cè)部加熱器的垂直距離分別為60、150、300 mm時,分析了其對多晶硅熔化以及結(jié)晶初期的影響。結(jié)果表明:距離為60 mm時硅料熔化所需時間最長,而距離為150、300 mm時硅料熔化時間與其相比分別少34、60 min;對于結(jié)晶初期的固液界面,距離為60 mm時固液界面接近于平面,有利于多晶硅晶體生長,而距離為150、300 mm時固液界面均呈現(xiàn)明顯的凸形,并且后者比前者凸起的程度更大,會降低多晶硅錠的質(zhì)量。
【作者單位】： 南昌大學(xué)機電工程學(xué)院;新余學(xué)院新能源科學(xué)與工程學(xué)院;江西省高等學(xué)校硅材料重點實驗室;
【關(guān)鍵詞】： 多晶硅 熱場 定向凝固 數(shù)值模擬
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項目(51164033) 江西省自然科學(xué)基金項目(20132BAB206021) 江西省高等學(xué)�？萍悸涞赜媱濏椖�(KJLD12050) 江西省教育廳科學(xué)技術(shù)研究項目(11739,12748)
【分類號】：TN304.12
【正文快照】： 定向凝固技術(shù)是多晶硅錠最主要的生產(chǎn)方法。對定向凝固爐的熱場進行優(yōu)化是非常有必要的,因為熱場在很大程度上決定了多晶硅錠的質(zhì)量[1]。加熱器為整個定向凝固爐熱場系統(tǒng)提供熱源,是控制熱場最重要的因素。隨著硅錠的尺寸不斷加大,為了更好地控制熱場,采用多個加熱器的凝固爐

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本文編號：630964