本文關(guān)鍵詞：基于加速老化試驗的IGBT壽命預測模型研究

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【摘要】：絕緣柵雙極型晶體管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)在工作過程中經(jīng)常要承受過熱和較大的溫度波動,當熱損傷達到一定程度時,模塊極有可能出現(xiàn)失效,這會給電力系統(tǒng)造成巨大的危害。如果能根據(jù)壽命預測模型提前預估模塊的壽命,便可以在模塊即將失效之前進行更換,從而避免模塊突然失效帶來的損失。因此,考慮在檢測模塊殼溫的條件下進行IGBT的溫度循環(huán)試驗,研究工況中易獲得的殼溫與IGBT壽命的關(guān)系模型。在已有壽命模型的基礎上,提出改進的壽命預測模型,經(jīng)試驗數(shù)據(jù)驗證準確度更高。
【作者單位】： 河北工業(yè)大學電氣工程學院;
【關(guān)鍵詞】： 絕緣柵雙極型晶體管 溫度循環(huán) 壽命預測模型
【基金】：國家科技支撐計劃資助項目(2015BAA09B01) 河北省科技支撐計劃資助項目(13214303D;14214503D)
【分類號】：TN322.8
【正文快照】： 在智能電網(wǎng)建設的大背景下,IGBT作為新型電力電子器件的典型代表,在智能電網(wǎng)的相關(guān)設備如光伏逆變器、風能變流器、儲能逆變器、柔性直流換流閥等中起著至關(guān)重要的作用[1]。IGBT經(jīng)常工作在過載、過熱等惡劣環(huán)境中,當受到電應力或熱應力的反復沖擊時,會發(fā)生疲勞損傷,引發(fā)器件失

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本文編號：599964