本文關(guān)鍵詞：一種新型硅通孔金屬填充工藝研究

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【摘要】：穿透硅通孔(Through Si via interconnect)是3D IC集成中的一種重要工藝。鎢化學(xué)氣相淀積在半導(dǎo)體工業(yè)中被廣泛應(yīng)用,其在接觸孔/通孔填充中出色的臺(tái)階覆蓋能力。但采用其作為填充金屬時(shí),會(huì)產(chǎn)生巨大的拉應(yīng)力(tensile stress)。這是一種鎢淀積與刻蝕在同一反應(yīng)腔內(nèi)連續(xù)作業(yè)的填充高深寬比硅通孔工藝的方法。主要研究了反應(yīng)腔壓力、噴淋頭與基座之間的距離、氬氣流量主要工藝參數(shù)對(duì)鎢刻蝕工藝的影響,最終獲得了一種深硅通孔無縫填充的穩(wěn)定工藝。
【作者單位】： 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司;
【關(guān)鍵詞】： 硅通孔 金屬鎢(W) 化學(xué)氣相沉積 刻蝕
【分類號(hào)】：TN405
【正文快照】： 1引言隨著半導(dǎo)體工藝的日趨成熟,3D集成已經(jīng)成為解決芯片互連帶來的全局延遲和功率損耗,提高芯片集成度和運(yùn)算速度的新方向[1]。穿透硅通孔(TSV)互連技術(shù)就是3D集成工藝中的一項(xiàng)重要技術(shù)。通過硅通孔中的填充金屬直接透過硅片背面連接,可獲得三維立體堆疊,極大的提高了芯片集

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本文編號(hào)：571785