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注入電流引起質(zhì)子轟擊VCSEL中的模式競爭

發(fā)布時間:2017-07-20 10:23

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【摘要】:為了分析質(zhì)子轟擊垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)中注入電流引起的激光模式競爭過程,在三維空間中對VCSEL激射后光電熱進行了研究。給出仿真光電熱的方程之后,在室溫連續(xù)工作條件下,對電流孔半徑r為4μm、閾值電流Ith為4.5 m A的VCSEL進行自洽求解。當注入電流Iin分別為5.0,5.5,6.0 m A時,得到了對應(yīng)的外加電壓和輸出光功率,并繪制了VCSEL的電勢、注入電流、載流子、光場和熱場的空間分布,給出了連續(xù)工作下輸出光功率隨注入電流變化的曲線。仿真結(jié)果表明:隨著注入VCSEL中的電流增加,電流密度增大,激光的橫向基模和橫向一階模式同時增強。橫向一階模式增加的強度及擴展的范圍大于橫向基模,激光輸出能量逐漸向橫向一階模式過渡,橫向模式競爭的同時產(chǎn)生載流子空間燒孔,因此在電流孔半徑r≥4μm的VCSEL中,連續(xù)工作激光模式不穩(wěn)定。
【作者單位】: 河北工業(yè)大學(xué)電子信息工程學(xué)院;河北工業(yè)大學(xué)電氣工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】垂直腔面發(fā)射激光器 橫模 光電熱仿真
【基金】:河北省自然科學(xué)基金(F2013202256)資助項目
【分類號】:TN248
【正文快照】: 1引言激光模式是影響光纖通信容量的一個重要因素,由此,為了實現(xiàn)激光單縱模,Iga教授提出了VCSEL[1-4]。由于VCSEL中較寬的橫向波導(dǎo),造成腔內(nèi)存在多個橫模,所以相比于縱模,控制VC-SEL的橫模更為重要[5]。李秀山等[6]采用非對稱電流注入的矩形臺面VCSEL可以研究輸出激光的橫模偏

【相似文獻】

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7 張祥偉;高功率垂直腔面發(fā)射激光器的偏振控制[D];中國科學(xué)院研究生院(長春光學(xué)精密機械與物理研究所);2013年

8 程俊強;高速光纖通信系統(tǒng)中垂直腔面發(fā)射激光器的特性研究[D];北京郵電大學(xué);2007年

9 桂華僑;垂直腔面發(fā)射激光器自混合傳感與光學(xué)定位跟蹤技術(shù)研究[D];中國科學(xué)技術(shù)大學(xué);2006年

10 張立森;大功率垂直腔面發(fā)射激光器的結(jié)構(gòu)設(shè)計與研制[D];中國科學(xué)院研究生院(長春光學(xué)精密機械與物理研究所);2012年

中國碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 劉慶喜;VCSEL混沌系統(tǒng)的時延隱藏與不可預(yù)測性研究[D];西南交通大學(xué);2015年

2 欒信信;高速850nm VCSEL的研制[D];北京工業(yè)大學(xué);2015年

3 楊炳星;光脈沖注入下VCSEL的偏振開關(guān)特性研究[D];西南大學(xué);2009年

4 左亮;VCSEL刻蝕工藝研究[D];長春理工大學(xué);2010年

5 黃雪兵;光電負反饋VCSEL的偏振特性理論研究[D];西南大學(xué);2010年

6 張躍宗;VCSEL橢圓偏振特性的研究[D];河北工業(yè)大學(xué);2005年

7 謝正生;1.3μm VCSEL結(jié)構(gòu)制作研究[D];中國科學(xué)院研究生院(上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所);2007年

8 高英強;新結(jié)構(gòu)電泵浦VCSEL熱特性模擬與測試[D];長春理工大學(xué);2012年

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10 毛周;1.55μm VCSEL高頻響應(yīng)特性的優(yōu)化研究[D];西安電子科技大學(xué);2013年



本文編號:567583

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