本文關鍵詞：氮化物外延生長在線監(jiān)測技術

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【摘要】：金屬有機化學氣相沉積外延技術(MOCVD)是利用金屬有機化合物進行金屬輸運的一種氣相外延生長技術,是大規(guī)模生產(chǎn)第三代半導體光電子、微電子器件的重要方法,也是制備半導體異質(zhì)結(jié)、超晶格、量子阱等低維結(jié)構(gòu)的主要手段。第三代半導體材料的飛速發(fā)展對MOCVD設備提出了更高的要求,MOCVD在線監(jiān)測技術作為控制生長過程的前提,面臨更多的挑戰(zhàn)。該文綜合介紹和比較了當今各種MOCVD在線監(jiān)測技術的發(fā)展情況,并對MOCVD在線監(jiān)測技術中的關鍵技術——紅外測溫、生產(chǎn)信息、曲率測量、光致發(fā)光做出簡要介紹和看法。
【作者單位】： 電子科技大學微電子與固體電子學院;北京智朗芯光科技有限公司;
【關鍵詞】： 曲率測量 生長信息 紅外測溫 MOCVD在線監(jiān)測技術 光致發(fā)光
【基金】：四川省科技計劃(2014GZ0151,2016JQ0022) 中央高�；究蒲袠I(yè)務費(ZYGX2013J115)
【分類號】：TN304.055
【正文快照】： 2014年,日本的三位科學家因為“發(fā)明高效藍光LED,帶來節(jié)能明亮的白色光源”共同獲得諾貝爾物理學獎[1]。其中LED(light-emitting diode)的主要材料就是第三代半導體III族氮化物材料,包括氮化鎵(Ga N)、氮化銦(In N)、氮化鋁(Al N)及其三元和四元固溶體(Al Ga N、In Ga N、Al I

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本文編號：563368