本文關(guān)鍵詞：多晶硅CVD反應(yīng)器中新型熱管的開發(fā)與仿真

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【摘要】：基于已有的新型多晶硅CVD反應(yīng)器,設(shè)計(jì)出有利于獲得理想速度場和溫度場的特殊熱管結(jié)構(gòu),并對其進(jìn)行了有限元強(qiáng)度分析和結(jié)構(gòu)改進(jìn)。對不同壁面發(fā)射率和不同壁面溫度的熱管進(jìn)行了CFD仿真,計(jì)算得出:隨著熱管壁面溫度的升高,多晶硅還原爐內(nèi)環(huán)境溫度也隨之升高,但是多晶硅棒的總能耗與輻射能耗卻隨之降低;壁面溫度從423 K上升至623 K時(shí),硅棒總能耗和輻射能耗分別下降了2.84%和3.87%;隨著發(fā)射率的降低,多晶硅還原爐內(nèi)的環(huán)境溫度、硅棒總能耗和輻射能耗都呈現(xiàn)下降趨勢;硅棒的總能耗和輻射能耗分別下降了21.75%和24.42%。
【作者單位】： 天津大學(xué)化工學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 多晶硅 CVD反應(yīng)器 熱管 有限元 CFD
【基金】：天津市自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(13JCZDJC27200)
【分類號(hào)】：TN304.05;TP391.9
【正文快照】： 0引言隨著電子信息和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迅速發(fā)展,工業(yè)上對高純的區(qū)熔級多晶硅需求量大大增加。然而由傳統(tǒng)西門子法還原得到的多晶硅大部分只能達(dá)到太陽能級,只有少量能夠到達(dá)電子級多晶硅的純度要求;而硅烷法作為第二大多晶硅生產(chǎn)工藝,不僅能夠有效保證生成硅單質(zhì)的純度,其650~800℃

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