本文關(guān)鍵詞：新型無(wú)損IGBT短路耐性測(cè)試電路

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【摘要】：為保護(hù)絕緣柵雙極晶體管(IGBT)測(cè)試電路及芯片失效信息,提出了一種新型的無(wú)損IGBT短路安全工作區(qū)測(cè)試電路,可以在器件測(cè)試時(shí)根據(jù)測(cè)試電流、電壓波形特征,自動(dòng)識(shí)別IGBT是否發(fā)生失效。一旦被測(cè)器件在測(cè)試過(guò)程中發(fā)生失效,測(cè)試電路能夠立即自動(dòng)將電流旁路,保護(hù)芯片表面不受二次大電流破壞,進(jìn)而保護(hù)芯片失效信息,為芯片的失效分析提供依據(jù)。根據(jù)設(shè)計(jì)搭建了測(cè)試保護(hù)電路,并進(jìn)行實(shí)驗(yàn)比較。通過(guò)分析對(duì)比失效IGBT模塊及芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu),發(fā)現(xiàn)該新型測(cè)試電路能在IGBT失效后,保護(hù)被測(cè)IGBT芯片不被進(jìn)一步破壞,為失效分析提供充分依據(jù)。
【作者單位】： 株洲南車時(shí)代電氣股份有限公司;新型功率半導(dǎo)體器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 短路測(cè)試 失效分析 短路安全工作區(qū) 無(wú)損測(cè)試
【分類號(hào)】：TN322.8
【正文快照】： 0引言隨著工業(yè)傳動(dòng)變流器技術(shù)的發(fā)展,絕緣柵雙極晶體管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)作為變流器模塊的核心器件得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。但隨之而來(lái)的IGBT應(yīng)用工況也越來(lái)越復(fù)雜,環(huán)境也越來(lái)越惡劣,常常會(huì)出現(xiàn)過(guò)電流甚至短路現(xiàn)象[1-2]。當(dāng)IGBT發(fā)生短路時(shí),會(huì)產(chǎn)生很大

【相似文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：531450