本文關(guān)鍵詞：新型無損IGBT短路耐性測試電路

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【摘要】：為保護絕緣柵雙極晶體管(IGBT)測試電路及芯片失效信息,提出了一種新型的無損IGBT短路安全工作區(qū)測試電路,可以在器件測試時根據(jù)測試電流、電壓波形特征,自動識別IGBT是否發(fā)生失效。一旦被測器件在測試過程中發(fā)生失效,測試電路能夠立即自動將電流旁路,保護芯片表面不受二次大電流破壞,進而保護芯片失效信息,為芯片的失效分析提供依據(jù)。根據(jù)設計搭建了測試保護電路,并進行實驗比較。通過分析對比失效IGBT模塊及芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu),發(fā)現(xiàn)該新型測試電路能在IGBT失效后,保護被測IGBT芯片不被進一步破壞,為失效分析提供充分依據(jù)。
【作者單位】： 株洲南車時代電氣股份有限公司;新型功率半導體器件國家重點實驗室;
【關(guān)鍵詞】： 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 短路測試 失效分析 短路安全工作區(qū) 無損測試
【分類號】：TN322.8
【正文快照】： 0引言隨著工業(yè)傳動變流器技術(shù)的發(fā)展,絕緣柵雙極晶體管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)作為變流器模塊的核心器件得到了越來越廣泛的應用。但隨之而來的IGBT應用工況也越來越復雜,環(huán)境也越來越惡劣,常常會出現(xiàn)過電流甚至短路現(xiàn)象[1-2]。當IGBT發(fā)生短路時,會產(chǎn)生很大

【相似文獻】

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本文編號：531450