本文關(guān)鍵詞：基于金屬氧化物TFT的AMOLED像素電路研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(AMOLED)顯示憑借其高亮度、高對(duì)比度、寬視角、重量輕、制造工藝簡(jiǎn)單、響應(yīng)速度快、低功耗、可制作大尺寸可撓性面板等諸多優(yōu)點(diǎn),在平板顯示領(lǐng)域受到科學(xué)家和產(chǎn)業(yè)界的廣泛重視,成為了新一代平板顯示的研究熱點(diǎn)。金屬氧化物薄膜晶體管(MOTFT)具有較高的遷移率、薄膜均勻性好、工藝溫度低等優(yōu)點(diǎn),且與非晶硅TFT的制作工藝過程相兼容,因此在新型顯示技術(shù)的應(yīng)用中顯示出了巨大優(yōu)勢(shì)。由于傳統(tǒng)的2個(gè)TFT和1個(gè)電容構(gòu)成的像素電路(簡(jiǎn)稱2T1C像素電路)無(wú)法保證顯示屏的均勻性要求,因此研究具有補(bǔ)償功能的像素電路對(duì)AMOLED顯示的應(yīng)用具有重要意義。本文首先對(duì)AMOLED像素電路中的主要元器件TFT和OLED進(jìn)行性能分析,包括測(cè)試所制備的器件的性能曲線和提取其主要的電學(xué)參數(shù)。然后利用H-Spice電路仿真軟件中比較成熟的低溫多晶硅TFT(LTPS TFT)的模型來(lái)擬合所測(cè)試的MOTFT和OLED的電學(xué)特性,并且得到了擬合效果很好的仿真器件模型,為像素電路的性能評(píng)估提供了比較精確的模擬仿真基礎(chǔ)。其次,本文提出了一次鎖存的編程原理及其像素電路,該編程方案可以提高像素電路的編程速度,使得相應(yīng)的AMOLED補(bǔ)償型像素電路能夠更好的適用于高分辨率、大尺寸面板以及三維顯示。但是該編程方案中的補(bǔ)償幀和非補(bǔ)償幀的編程速度不一致,從而導(dǎo)致了補(bǔ)償幀和非補(bǔ)償幀的發(fā)光時(shí)間不一致,導(dǎo)致編程方案變得復(fù)雜。所以本文從一次鎖存的編程方案上還發(fā)展了混合并行的編程方案,完美的解決了一次鎖存中補(bǔ)償幀和非補(bǔ)償幀的編程速度不一致的問題,而且我們也提出了相應(yīng)的補(bǔ)償型像素電路。其中一個(gè)補(bǔ)償型像素電路可以很好的解決驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓不一致所帶來(lái)的顯示屏不均勻性問題。而另外一個(gè)改進(jìn)型的補(bǔ)償型像素電路不僅能夠補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓不均勻性,而且還能隨著OLED的衰退適當(dāng)增大流過OLED的電流,從而很好地解決OLED在恒電流下其亮度也會(huì)隨時(shí)間衰退的問題。并且通過模擬仿真和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,這幾種像素電路在對(duì)應(yīng)的高速編程方案下都可以很好的工作,并且達(dá)到很好的補(bǔ)償效果。最后,本文還針對(duì)MOTFT的閾值電壓在零伏附近(即存在正極性和負(fù)極性)的特性提出了一個(gè)補(bǔ)償型像素電路。該像素電路不僅能夠適應(yīng)于只存在正閾值電壓特性的多晶硅N型TFT,還能夠同時(shí)補(bǔ)償具有負(fù)閾值電壓特性的N型TFT,因此非常適合同時(shí)存在正極性和負(fù)極性的閾值電壓特性的MOTFT。并且通過模擬仿真和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,不管驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓是正極性還是負(fù)極性,該像素電路都可以很好的對(duì)其進(jìn)行補(bǔ)償。
【關(guān)鍵詞】：有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示 金屬氧化物薄膜晶體管 補(bǔ)償像素電路
【學(xué)位授予單位】：華南理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類號(hào)】：TN383.1
【目錄】：

• 摘要5-7
• ABSTRACT7-11
• 第一章 緒論11-22
• 1.1 有機(jī)電致發(fā)光顯示技術(shù)概述11-14
• 1.2 有機(jī)電致發(fā)光顯示的驅(qū)動(dòng)原理14-20
• 1.2.1 傳統(tǒng)2T1C像素電路的工作原理15-16
• 1.2.2 電壓編程型的像素補(bǔ)償電路的發(fā)展16-19
• 1.2.3 金屬氧化物薄膜晶體管的發(fā)展?fàn)顩r19-20
• 1.3 本論文研究的主要目的和工作內(nèi)容20-22
• 第二章 MOTFT及OLED的特性分析22-35
• 2.1 引言22
• 2.2 MOTFT的參數(shù)提取和仿真模型擬合22-30
• 2.2.1 MOTFT的參數(shù)測(cè)試及分析22-26
• 2.2.2 MOTFT的H-Spice仿真模型建立26-27
• 2.2.3 TFT的均勻性分析27-30
• 2.3 OLED的參數(shù)提取和仿真模型擬合30-34
• 2.3.1 OLED的參數(shù)分析30-31
• 2.3.2 OLED的H-Spice仿真模型建立31-32
• 2.3.3 OLED的衰減特性分析32-34
• 2.4 本章小結(jié)34-35
• 第三章 AMOLED高速編程方法及其像素電路設(shè)計(jì)35-59
• 3.1 引言35
• 3.2 一次鎖存的編程方法及其像素電路設(shè)計(jì)35-40
• 3.2.1 編程方法及像素電路的原理35-38
• 3.2.2 像素電路的仿真及其驗(yàn)證38-40
• 3.3 混合并行的編程方法及其像素電路設(shè)計(jì)40-53
• 3.3.1 編程方法及像素電路的原理41-43
• 3.3.2 像素電路的設(shè)計(jì)分析43-48
• 3.3.3 像素電路及編程方法的驗(yàn)證48-53
• 3.4 混合并行的5T2C像素電路的改進(jìn)設(shè)計(jì)53-58
• 3.4.1 像素電路拓?fù)浼肮ぷ髟?/span>53-56
• 3.4.2 像素電路的驗(yàn)證56-58
• 3.5 本章小結(jié)58-59
• 第四章 一種新型的像素電路設(shè)計(jì)及分析59-68
• 4.1 引言59
• 4.2 新型5T2C像素電路設(shè)計(jì)59-67
• 4.2.1 像素電路的拓?fù)浼肮ぷ髟?/span>59-61
• 4.2.2 像素電路的驗(yàn)證61-67
• 4.3 本章小結(jié)67-68
• 結(jié)論68-69
• 參考文獻(xiàn)69-76
• 攻讀碩士學(xué)位期間取得的研究成果76-77
• 致謝77-78
• 附表78

【相似文獻(xiàn)】

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