本文關(guān)鍵詞：一種新的SOI波導(dǎo)拉曼激光器模型及其應(yīng)用，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：通過考慮腔中的自發(fā)拉曼散射,提出一種新的絕緣體上硅(SOI)波導(dǎo)拉曼激光器物理模型。仿真結(jié)果表明該模型能較好地描述其小信號輸出特性,實(shí)現(xiàn)對該類激光器的快速分析、設(shè)計(jì)與優(yōu)化。利用模型對基于多種SOI波導(dǎo)的拉曼激光器進(jìn)行分析,結(jié)果表明室溫下只有采用擁有較大拉曼系數(shù)、較小線性損耗和較短有效載流子壽命的SOI波導(dǎo)才能使拉曼激光器達(dá)到閾值。提出采用優(yōu)化SOI波導(dǎo)截面幾何尺寸的方法來降低有效載流子壽命,進(jìn)而提高整體拉曼增益。結(jié)果顯示該方法可大幅提高SOI波導(dǎo)拉曼激光器的輸出功率和能量轉(zhuǎn)換效率。
【作者單位】： 福州大學(xué)物理與信息工程學(xué)院微電子學(xué)系;
【關(guān)鍵詞】： 非線性光學(xué) 拉曼激光器 硅波導(dǎo) 集成光子學(xué)
【基金】：國家自然科學(xué)基金,61205049 福建省自然科學(xué)基金,2013J05089~~
【分類號】：TN248
【正文快照】： i引言集成光子學(xué)技術(shù)在通信、醫(yī)療、國防等方面有著巨大的應(yīng)用前景,近年來已成為國際學(xué)術(shù)界的研究熱點(diǎn)I1?4]�；诮^緣體上硅(SOI)材料的硅光子技術(shù)是集成光子學(xué)的關(guān)鍵技術(shù)之一。與互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)集成電路相比,桂光子器件的優(yōu)勢主要體現(xiàn)在傳輸光信號的低延時(shí)、高

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本文編號：500205