本文關(guān)鍵詞：磁控共濺射低溫制備多晶硅薄膜及其特性研究，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：多晶硅在光電子器件領(lǐng)域具有較為重要的用途。利用磁控濺射鍍膜系統(tǒng),通過共濺射技術(shù)在玻璃襯底上制備了非晶硅鋁(α-Si/Al)復(fù)合膜,將Al原子團(tuán)包覆在α-Si基質(zhì)中,膜中的Al含量可通過Al和Si的濺射功率比來調(diào)節(jié)。復(fù)合膜于N2氣氛中進(jìn)行350℃,10min快速退火處理,制備出了多晶硅薄膜。利用X射線衍射儀、拉曼光譜儀和紫外-可見光-近紅外分光光度計(jì)對(duì)多晶硅薄膜的性能進(jìn)行表征,研究了Al含量對(duì)多晶硅薄膜性能的影響。結(jié)果表明:共濺射法制備的α-Si/Al復(fù)合膜在低溫光熱退火下晶化為晶粒分布均勻的多晶硅薄膜;隨著膜中Al含量逐漸增加,多晶硅薄膜的晶化率、晶粒尺寸逐漸增加,帶隙則逐漸降低;Al/Si濺射功率比為0.1時(shí)可獲得納米晶硅薄膜,Al/Si濺射功率比為0.3時(shí)得到晶化率較高的多晶硅薄膜,通過Al含量的調(diào)節(jié)可實(shí)現(xiàn)多晶硅薄膜的晶化率、晶粒尺寸及帶隙的可控。
【作者單位】： 可再生能源材料先進(jìn)技術(shù)與制備教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;云南師范大學(xué)太陽能研究所;
【關(guān)鍵詞】： 共濺射 鋁誘導(dǎo)晶化 低溫退火 多晶硅 特性
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(U1037604) 云南師范大學(xué)研究生創(chuàng)新資金項(xiàng)目資助
【分類號(hào)】：TN304.12;TN305.92
【正文快照】： 引言多晶硅(polycrystalline silicon)薄膜具有較高的載流子遷移率、較大的吸收系數(shù)及穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)[1],在光電子器件領(lǐng)域應(yīng)用較為廣泛,如薄膜晶體管、太陽電池、圖像傳感器等[2]。多晶硅(Pc-Si)薄膜通常是由非晶硅(amorphous sili-con)薄膜晶化而來。目前,α-Si薄膜的晶化方

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本文編號(hào)：499144