本文關鍵詞：瞬態(tài)電壓抑制二極管的概述和展望，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：文中基于推進我國瞬態(tài)電壓抑制二極管(TVS)自主研發(fā)能力的目的,通過調(diào)研TVS的發(fā)展歷程及近年的研究熱點,綜述了TVS的制備工藝和主要結構。同時,介紹了TVS的工作機制和主要參數(shù),并重點描述了近年來國際上TVS在低壓低電容和低漏電流方面所取得的理論和技術突破。最后提出了TVS的低壓集成化等發(fā)展趨勢。
【作者單位】： 中國科學院大學中國科學院微電子研究所中國科學院硅器件技術重點實驗室;
【關鍵詞】： 瞬態(tài)電壓抑制二極管 TVS 研究現(xiàn)狀
【基金】：國家自然科學基金(61404169;61404161)
【分類號】：TN31
【正文快照】： 瞬態(tài)電壓和浪涌常出現(xiàn)在在整機和系統(tǒng)中,造成整機和系統(tǒng)中的半導體器件被燒毀或擊穿。在半導體器件應用早期,它們并沒有被重視,直到1961年貝爾實驗室才開始進行瞬態(tài)電壓對半導體器件損害的研究,工業(yè)上也是上世紀70年代才開始對此關注。1研究背景造成瞬態(tài)電壓和浪涌的原因主要

【相似文獻】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前3條

1 郭遠東;李雪玲;;TVS管失效原因分析[J];環(huán)境技術;2013年04期

2 肖敏;曾祥斌;袁德成;孫樹梅;;工藝參數(shù)對TVS器件電性能的影響[J];電力電子技術;2007年06期

3 ;[J];;年期

  本文關鍵詞：瞬態(tài)電壓抑制二極管的概述和展望，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

本文編號：498995