InP量子點(diǎn)的摻雜及其光學(xué)性能
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【摘要】:采用原位成核摻雜法合成了Li、Zn金屬離子摻雜的InP量子點(diǎn)(分別記為L(zhǎng)i:InP和Zn:InP),并研究了摻雜劑對(duì)量子點(diǎn)的結(jié)構(gòu)、尺寸和光學(xué)性能的影響。研究結(jié)果表明,Li~+、Zn~(2+)摻雜的InP量子點(diǎn)結(jié)晶度較高且尺寸均勻。雖然Li~+摻雜未引起InP量子點(diǎn)的結(jié)構(gòu)發(fā)生變化,Li~+未進(jìn)入InP晶格,但是抑制了InP量子點(diǎn)的成核與長(zhǎng)大,使其吸收譜和熒光譜均發(fā)生大幅度的藍(lán)移。Zn摻雜同樣也抑制InP量子點(diǎn)的成核與長(zhǎng)大,并且形成InP/Zn_3P_2/ZnO復(fù)合核殼結(jié)構(gòu),顯著增強(qiáng)了InP量子點(diǎn)的熒光,尤其是當(dāng)Zn摻雜濃度(Zn/In原子比)為0.2時(shí),InP量子點(diǎn)的熒光強(qiáng)度增加近100多倍,這對(duì)短波長(zhǎng)InP量子點(diǎn)的合成具有一定的參考價(jià)值。
【作者單位】: 表面物理與化學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】: 磷化銦 量子點(diǎn) 摻雜 光學(xué)性能
【基金】:表面物理與化學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室學(xué)科發(fā)展基金(ZDXKFZ201217)~~
【分類號(hào)】:O471.1
【正文快照】: (Science and Technology on Surface Physics and Chemistry Laboratory,Jiangyou 621908,China)膠體量子點(diǎn)在光電子器件和生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景[1-2]。相比水相合成法,油相法合成的量子點(diǎn)具有結(jié)晶度高、尺寸均勻、熒光量子效率高等優(yōu)點(diǎn)。III-V族In P量子點(diǎn)具有
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本文關(guān)鍵詞:InP量子點(diǎn)的摻雜及其光學(xué)性能,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。
本文編號(hào):492099
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