本文關(guān)鍵詞：一種內(nèi)線轉(zhuǎn)移可見光CCD彌散特性的模擬分析，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：運(yùn)用半導(dǎo)體二維數(shù)值模擬軟件sentaurus TCAD,對(duì)基于p型襯底制作的橫向抗暈內(nèi)線轉(zhuǎn)移CCD的彌散特性進(jìn)行了數(shù)值模擬研究,建立了sentaurus TCAD軟件模擬橫向抗暈內(nèi)線轉(zhuǎn)移CCD器件仿真模型,對(duì)影響器件彌散特性的光敏區(qū)n型區(qū)域、垂直CCD p阱進(jìn)行了模擬分析。結(jié)果表明,光敏區(qū)n型區(qū)域注入能量控制在450~550keV,垂直CCD p阱注入能量控制在200~600keV,劑量控制在4.0×10~(12)~8.0×10~(12) cm~(-2),器件彌散特性最佳。
【作者單位】： 重慶光電技術(shù)研究所;
【關(guān)鍵詞】： 內(nèi)線轉(zhuǎn)移CCD 彌散特性 橫向抗暈 數(shù)值模擬
【分類號(hào)】：TN386.5
【正文快照】： 0引言內(nèi)線轉(zhuǎn)移CCD以其易于小型化的特點(diǎn)而廣泛用于安防、機(jī)器視覺等領(lǐng)域。內(nèi)線轉(zhuǎn)移CCD的像元主要由光敏區(qū)與垂直CCD構(gòu)成,入射光照射在光敏區(qū)時(shí)產(chǎn)生的載流子或者入射光的一部分“泄漏”至鄰近垂直埋溝,這種現(xiàn)象稱為彌散。值得注意的是,無(wú)論是高于飽和光照入射還是低于飽和光照

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  本文關(guān)鍵詞：一種內(nèi)線轉(zhuǎn)移可見光CCD彌散特性的模擬分析，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

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