本文關鍵詞：碳化硅門極可關斷晶閘管的研究進展，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：由于SiC材料的理想特性使SiC門極可關斷晶閘管(GTO)的發(fā)展受到廣泛關注。SiC GTO是一種用于控制大電流的高功率開關器件,具有開關速度高、功耗低以及控制電路的復雜程度低等優(yōu)點,在高壓、高溫開關電路應用中有著獨特的優(yōu)勢。闡述了近十幾年來SiC GTO的研究進展,在介紹SiC GTO的等效模型和工作原理的基礎上,重點介紹了SiC GTO在阻斷電壓、傳導電流、正向壓降和載流子壽命調(diào)控等方面的研究現(xiàn)狀,詳細討論了提高SiC GTO阻斷性能的5種不同的結終端技術和實現(xiàn)載流子壽命調(diào)控的具體方法,給出了典型SiC GTO器件的傳導電流和正向壓降,并對影響CTO性能的主要因素進行了分析。同時,對SiC GTO的未來發(fā)展趨勢進行了展望。
【作者單位】： 清華大學微電子學研究所;
【關鍵詞】： 碳化硅 門極可關斷晶閘管(GTO) 結終端(JTE) 阻斷電壓 少子壽命
【分類號】：TN34
【正文快照】： 0引言門極可關斷晶閘管(gate turn-off thyristors,GTO)是一種用于控制大電流的功率開關,其可以提高開關速度、降低功耗以及控制電路的復雜度,被廣泛應用于智能電網(wǎng)和軌道交通等領域。近年來,由于微電子工藝技術的進步和Si材料特性的限制,Si GTO器件的性能接近了其理論極限,已

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1 高玉民;非對稱晶閘管的阻斷電壓[J];西安理工大學學報;1995年01期

  本文關鍵詞：碳化硅門極可關斷晶閘管的研究進展，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

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本文編號：479461