電化學(xué)沉積設(shè)備在集成電路制造中的應(yīng)用及發(fā)展現(xiàn)狀
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【摘要】:根據(jù)集成電路發(fā)展的趨勢,分析了電化學(xué)沉積設(shè)備在集成電路行業(yè)的應(yīng)用。通過及國外各主流設(shè)備的特點(diǎn)及國內(nèi)設(shè)備的現(xiàn)狀闡述,指出了國內(nèi)在電化學(xué)沉積設(shè)備及技術(shù)方面,與國外水平存在巨大的差距。
【作者單位】: 中國電子科技集團(tuán)公司第四十五研究所;
【關(guān)鍵詞】: 電化學(xué)沉積 集成電路 應(yīng)用
【分類號】:TN405
【正文快照】: 集成電路向“高集成度、高可靠性、高速率、低功耗”發(fā)展,制造工藝不斷變革。(1)隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,集成電路線條更加微細(xì)化,微結(jié)構(gòu)尺寸小,僅有0.1~1μm,而銅的電阻率比鋁小,抗電遷移能力比鋁好、擴(kuò)散迅速,130 nm及以下集成電路工藝均應(yīng)采用銅互聯(lián)工藝[1]。(2)集成電路封裝
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3 郭睿R
本文編號:464501
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