本文關(guān)鍵詞：碳化硅MOSFET電熱耦合模型及分析，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：為在Matlab/Simulink環(huán)境下準(zhǔn)確預(yù)測(cè)碳化硅Si C(silicon carbide)功率器件在實(shí)際工況下的結(jié)溫變化,針對(duì)Si C MOSFET器件提出了一種基于時(shí)變溫度反饋的電熱耦合模型建模方法。該方法能更好地反映Si C MOSFET在導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)過(guò)程中的性能特點(diǎn),模型從器件物理分析和工作機(jī)理出發(fā),將功率損耗和熱網(wǎng)絡(luò)模塊引入建模,實(shí)時(shí)反饋器件結(jié)溫和更新溫度相關(guān)參數(shù)。采用CREE C2M0160120D Si C MOSFET器件進(jìn)行測(cè)試,根據(jù)制造商數(shù)據(jù)手冊(cè)和測(cè)試實(shí)驗(yàn)中提取,仿真結(jié)果證實(shí)了該建模方法的正確性,為器件的壽命預(yù)測(cè)和可靠性評(píng)估提供了研究基礎(chǔ)。
【作者單位】： 湘潭大學(xué)信息工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 碳化硅 MOSFET 電熱耦合 Matlab/Simulink
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(51207134)~~
【分類(lèi)號(hào)】：TN386
【正文快照】： 引言 近年來(lái),隨著變流器的功率、頻率的不斷提升,傳統(tǒng)硅Si(silicon)材料本身物理性能的缺陷逐漸顯現(xiàn)。為滿(mǎn)足高效率和高功率密度的社會(huì)需求,Si C MOSFET器件受到越來(lái)越多的關(guān)注[1-2]。然而,對(duì)于Si C MOSFET來(lái)說(shuō),大容量高壓高頻的應(yīng)用場(chǎng)合對(duì) 其可靠性提出了更高的要求�，F(xiàn)有

  本文關(guān)鍵詞：碳化硅MOSFET電熱耦合模型及分析，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

本文編號(hào)：464482