本文關(guān)鍵詞：總劑量輻照對熱載流子效應(yīng)的影響研究，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：研究了總劑量輻照效應(yīng)對0.35μm n型金屬-氧化物-半導(dǎo)體(NMOS)器件熱載流子測試的影響.試驗結(jié)果表明:經(jīng)過100 krad(Si)總劑量輻照后進行5000 s的熱載流子測試,NMOS器件閾值電壓隨著總劑量的增大而減小,然后隨熱載流子測試時間的增加而增大,且變化值遠遠超過未經(jīng)過總劑量輻照的器件;總劑量輻照后經(jīng)過200 h高溫退火,再進行5000 s的熱載流子測試,其熱載流子退化值遠小于未高溫退火的樣品,但比未輻照的樣品更明顯,即總劑量輻照與熱載流子的協(xié)同效應(yīng)要超過兩種效應(yīng)的簡單疊加.根據(jù)兩種效應(yīng)的原理分析,認為總劑量輻照感生氧化層陷阱電荷中的空穴與熱電子復(fù)合減少了正氧化層的陷阱電荷,但輻照感生界面態(tài)俘獲熱電子形成負的界面陷阱電荷,表現(xiàn)為兩者的協(xié)同效應(yīng)模擬方式比單機理模擬方式對器件的影響更嚴重.
【作者單位】： 工業(yè)和信息化部電子第五研究所電子元器件可靠性物理及其應(yīng)用技術(shù)國家重點實驗室;
【關(guān)鍵詞】： 總劑量輻照 熱載流子效應(yīng) 協(xié)同效應(yīng)
【基金】：國家自然科學(xué)基金(批準號:61574048,61204112) 廣東省科技重大專項(批準號:2015B090912002)資助的課題~~
【分類號】：TN386
【正文快照】： 研究了總劑量輻照效應(yīng)對0.35μm n型金屬-氧化物-半導(dǎo)體(NMOS)器件熱載流子測試的影響.試驗結(jié)果表明:經(jīng)過100 krad(Si)總劑量輻照后進行5000 s的熱載流子測試,NMOS器件閾值電壓隨著總劑量的增大而減小,然后隨熱載流子測試時間的增加而增大,且變化值遠遠超過未經(jīng)過總劑量輻照的

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