本文關(guān)鍵詞：總劑量輻照對(duì)熱載流子效應(yīng)的影響研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：研究了總劑量輻照效應(yīng)對(duì)0.35μm n型金屬-氧化物-半導(dǎo)體(NMOS)器件熱載流子測(cè)試的影響.試驗(yàn)結(jié)果表明:經(jīng)過(guò)100 krad(Si)總劑量輻照后進(jìn)行5000 s的熱載流子測(cè)試,NMOS器件閾值電壓隨著總劑量的增大而減小,然后隨熱載流子測(cè)試時(shí)間的增加而增大,且變化值遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)未經(jīng)過(guò)總劑量輻照的器件;總劑量輻照后經(jīng)過(guò)200 h高溫退火,再進(jìn)行5000 s的熱載流子測(cè)試,其熱載流子退化值遠(yuǎn)小于未高溫退火的樣品,但比未輻照的樣品更明顯,即總劑量輻照與熱載流子的協(xié)同效應(yīng)要超過(guò)兩種效應(yīng)的簡(jiǎn)單疊加.根據(jù)兩種效應(yīng)的原理分析,認(rèn)為總劑量輻照感生氧化層陷阱電荷中的空穴與熱電子復(fù)合減少了正氧化層的陷阱電荷,但輻照感生界面態(tài)俘獲熱電子形成負(fù)的界面陷阱電荷,表現(xiàn)為兩者的協(xié)同效應(yīng)模擬方式比單機(jī)理模擬方式對(duì)器件的影響更嚴(yán)重.
【作者單位】： 工業(yè)和信息化部電子第五研究所電子元器件可靠性物理及其應(yīng)用技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： 總劑量輻照 熱載流子效應(yīng) 協(xié)同效應(yīng)
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號(hào):61574048,61204112) 廣東省科技重大專(zhuān)項(xiàng)(批準(zhǔn)號(hào):2015B090912002)資助的課題~~
【分類(lèi)號(hào)】：TN386
【正文快照】： 研究了總劑量輻照效應(yīng)對(duì)0.35μm n型金屬-氧化物-半導(dǎo)體(NMOS)器件熱載流子測(cè)試的影響.試驗(yàn)結(jié)果表明:經(jīng)過(guò)100 krad(Si)總劑量輻照后進(jìn)行5000 s的熱載流子測(cè)試,NMOS器件閾值電壓隨著總劑量的增大而減小,然后隨熱載流子測(cè)試時(shí)間的增加而增大,且變化值遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)未經(jīng)過(guò)總劑量輻照的

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  本文關(guān)鍵詞：總劑量輻照對(duì)熱載流子效應(yīng)的影響研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

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