本文關(guān)鍵詞：基于黑磷納米材料場效應(yīng)管的電特性研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：以紅磷、錫和四碘化錫為原料制備黑磷,并用黑磷(BP)納米材料制作場效應(yīng)管,用X射線衍射譜(XRD)和光學(xué)顯微鏡(OM)分析了BP樣品的結(jié)構(gòu)和形貌,并測試其輸出特性曲線和轉(zhuǎn)移特性曲線。BP樣品厚度為12 nm,通過計算,其電子遷移率μ_e=248 cm~2/Vs,電流開關(guān)比為~10~3。結(jié)果表明,基于BP納米材料場效應(yīng)管具有較好電子遷移率和開關(guān)比,為BP成為未來光電器件備選材料研究奠定基礎(chǔ)。
【作者單位】： 池州學(xué)院機(jī)電工程學(xué)院;浙江大學(xué)物理學(xué)系;
【關(guān)鍵詞】： 黑磷 形貌 場效應(yīng)管 FET性能
【基金】：國家自然科學(xué)基金(51272232)
【分類號】：TB383.1;TN386
【正文快照】： 1引言 目前研究較多的二維材料,主要有石墨烯、氮化硼(BN)以及二維過渡金屬硫化物如二硫化鉬(MOS2),它們表現(xiàn)出來的優(yōu)異的物理和化學(xué)性能使這些材料得到學(xué)者們的關(guān)注[1-5]。石墨烯具有高電子遷移率,高熱導(dǎo)率,常溫霍爾效應(yīng)等優(yōu)異性能,但它缺乏帶隙,以及較小的開關(guān)電流比導(dǎo)致石

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1 應(yīng)盼;Al/Ag金屬薄膜的制備、表征及對C_(60)分子自組裝的影響[D];燕山大學(xué);2014年

  本文關(guān)鍵詞：基于黑磷納米材料場效應(yīng)管的電特性研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

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本文編號：453964