本文關鍵詞：分子束外延HgCdTe nBn結構紅外探測器的理論計算和優(yōu)化，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：通過2維數值模擬對HgCdTe nBn紅外探測器的光電性質進行了研究.理論計算了nBn結構中各層的參數的變化(包含厚度的變化、摻雜濃度的變化以及組分)對器件性能的影響規(guī)律.通過優(yōu)化上述器件結構參數,理論上獲得了最優(yōu)化結構的HgCdTe nBn器件,為獲得高性能MBE外延HgCdTe nBn紅外探測器提供重要參考.
【作者單位】： 中國科學院上海技術物理研究所紅外材料與器件重點實驗室;
【關鍵詞】： 分子束外延 HgCdTe nBn結構 數值模擬
【基金】：國家自然科學基金(61306062)~~
【分類號】：TN215
【正文快照】： PACS:68.55.Ln,72.80.Ey,81.05.Dz引言眾所周知,由于HgCdTe材料具有高吸收系數、高量子效率、波段可調等優(yōu)點,已成為制作紅外光電探測器以及新一代紅外焦平面器件發(fā)展的優(yōu)選材料[1-3].然而,常規(guī)結構的HgCdTe材料都面臨著P型摻雜的問題.不管是Hg空位摻雜還是As摻雜,由于其各自

  本文關鍵詞：分子束外延HgCdTe nBn結構紅外探測器的理論計算和優(yōu)化，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

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本文編號：450608