本文關(guān)鍵詞：GaN微波及功率器件在電子信息產(chǎn)業(yè)中的市場前景，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：正一、概述作為一種新型電子和光電子器件半導(dǎo)體材料,氮化鎵(Ga N)與碳化硅(Si C)一起,被認(rèn)為是繼第1代鍺(Ge)、硅(Si)半導(dǎo)體材料、第2代砷化鎵(Ga As)和磷化銦(In P)化合物半導(dǎo)體材料之后的所謂第3代半導(dǎo)體材料,其研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化研究的前沿和熱點(diǎn)之一。它具有帶隙寬(而且是直接帶隙)、鍵強(qiáng)度大、電子遷移率高、化學(xué)穩(wěn)定性好(幾乎不被任何酸腐蝕)等優(yōu)良性質(zhì)和強(qiáng)
【作者單位】： 揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司;
【關(guān)鍵詞】： 半導(dǎo)體材料;GaN;直接帶隙;鍵強(qiáng)度;電子遷移率;光電子器件;優(yōu)良性質(zhì);磷化銦;器件技術(shù);氮化鎵;
【分類號】：TN304
【正文快照】： 一、概述作為一種新型電子和光電子器件半導(dǎo)體材料,氮化鎵(Ga N)與碳化硅(Si C)一起,被認(rèn)為是繼第1代鍺(Ge)、硅(Si)半導(dǎo)體材料、第2代砷化鎵(Ga As)和磷化銦(In P)化合物半導(dǎo)體材料之后的所謂第3代半導(dǎo)體材料,其研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化研究的前沿和熱點(diǎn)之一。它具

【相似文獻(xiàn)】

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1 李翔;曹燦華;翟X;喬榮學(xué);;半導(dǎo)體材料的淺釋[J];科技傳播;2011年06期

2 TB猶煃;汪炳南;;對半導(dǎo)體材料研究的一些意墜[J];科學(xué)通報(bào);1959年16期

3 林，

本文編號：433663