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多次透射反射紅外光譜法靈敏和準確地測量單晶硅中間隙氧和代位碳的含量(英文)

發(fā)布時間:2017-06-08 01:06

  本文關鍵詞:多次透射反射紅外光譜法靈敏和準確地測量單晶硅中間隙氧和代位碳的含量(英文),由筆耕文化傳播整理發(fā)布。


【摘要】:建立了室溫下使用多次透射反射紅外光譜法(MTR-IR)測量單晶硅中間隙氧和代位碳含量的新紅外光譜吸收方法,在理論和實驗上證明了MTR-IR優(yōu)于常規(guī)使用的單次垂直透射紅外(IR)吸收測量方法。與IR法相比較,MTR-IR法的優(yōu)點為:(1)間隙氧在1 107 cm-1處和代位碳在605 cm-1處的吸收峰與MTR-IR法中紅外光透過硅片的的次數(shù)N(6~12)成線性增加的正比例關系,因此單晶硅中間隙氧和代位碳含量的檢測限至少比IR法低一個數(shù)量級;(2)MTR-IR法測量薄硅片如0.2 mm的厚度時產(chǎn)生的干涉條紋強度是單次垂直透射紅外吸收法(IR)的1/23、是單次Brewster角透射紅外吸收法的1/11;(3)單次垂直透射紅外吸收法(IR)1次只測量樣品上的1個點,MTR-IR法則在更長的樣品上1次測量多個樣品點,每次測量更具有代表性。理論計算和實驗結果都證實了MTR-IR吸收法測量晶體硅中間隙氧和代位碳雜質含量的高靈敏度、可靠性和重復性。
【作者單位】: 配位化學國家重點實驗室南京大學化學化工學院;
【關鍵詞】多次透射反射 紅外 間隙氧 代位碳
【基金】:國家重點基礎研究發(fā)展計劃(No.2013CB922101) 國家自然科學基金(No.91027019)資助項目
【分類號】:TN304.12;O657.33
【正文快照】: 0 IntroductionSilicon-based semiconductor industry,as amiracle in the human beings history,continues todevelop at considerably high growth rates already forhalf a century.Recently,solar energy has beenrecognized in common as an alternative sustainableene

  本文關鍵詞:多次透射反射紅外光譜法靈敏和準確地測量單晶硅中間隙氧和代位碳的含量(英文),,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。



本文編號:430849

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